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아연입자 코팅층을 구비하는 음극 및 그를 포함하는 아연-브롬 흐름전지

  • 기술번호 : KST2020007578
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 아연입자 코팅층을 구비하는 음극 및 그를 포함하는 아연-브롬 흐름전지에 관한 것으로, 음극에서의 활성면적을 증가시키고 전류밀도를 감소시켜 아연 덴드라이트의 형성을 지연시키고 전극 내에 추가적인 아연이온을 공급하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 아연-브롬 흐름전지는 멤브레인, 멤브레인을 중심으로 한 쪽에 적층된 제1 전극, 멤브레인을 중심으로 다른 쪽에 적층된 제2 전극을 포함하고, 제1 및 제2 전극 중 음극의 표면에 아연입자 코팅층이 형성된다.
Int. CL H01M 4/86 (2006.01.01) H01M 8/18 (2015.01.01) H01M 12/08 (2015.01.01)
CPC H01M 4/8642(2013.01) H01M 4/8642(2013.01) H01M 4/8642(2013.01) H01M 4/8642(2013.01) H01M 4/8642(2013.01) H01M 4/8642(2013.01)
출원번호/일자 1020180161745 (2018.12.14)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0073510 (2020.06.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.02.13)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이제남 경기도 성남시 분당구
2 김영권 경기도 성남시 분당구
3 도은별 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-1257396-62
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2020.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2020-0155068-67
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.10.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
아연-브롬 흐름전지용 음극으로,음극 본체; 및상기 음극 본체의 표면에 형성된 아연입자 코팅층;을 포함하는 아연-브롬 흐름전지용 음극
2 2
제1항에 있어서,상기 아연입자 코팅층은 아연입자와 결착제를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연-브롬 흐름전지용 음극
3 3
제1항에 있어서,상기 아연입자 코팅층은 아연입자, 탄소 소재 및 결착제를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연-브롬 흐름전지용 음극
4 4
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 아연입자의 크기는 0
5 5
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 결착제는 PVdF, PVdF-HFP, Polyamic acid 또는 Polyimide를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연-브롬 흐름전지용 음극
6 6
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 아연입자 코팅층은 3 내지 50 중량%의 결착제를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연-브롬 흐름전지용 음극
7 7
제1항에 있어서,상기 음극 본체의 소재는 활성탄, 그라파이트, 하드카본 또는 다공성 카본재를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연-브롬 흐름전지용 음극
8 8
멤브레인;상기 멤브레인을 중심으로 한 쪽에 적층된 제1 전극; 및상기 멤브레인을 중심으로 다른 쪽에 적층된 제2 전극;을 포함하고,상기 제1 및 제2 전극 중 음극의 표면에 아연입자 코팅층이 형성된 것을 특징으로 하는 아연-브롬 흐름전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 전자부품연구원 에너지수요관리핵심기술개발사업 아연-브롬 흐름전지용 유로가 도입된 비대칭 복합 바이폴라전극 및 스택 기술 개발