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전도성 중간층을 포함하는 아연-브롬 흐름전지

  • 기술번호 : KST2020007579
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전도성 중간층을 포함하는 아연-브롬 흐름전지에 관한 것으로, 음극에서의 덴드라이트 형태의 비활성된 아연의 양을 감소시켜 아연 탈착 공정을 개선시켜 전지의 용량 및 수명 특성을 향상시키기 위한 것이다. 본 발명에 따른 아연-브롬 흐름전지는 멤브레인, 멤브레인을 중심으로 한 쪽에 적층된 제1 전극, 멤브레인을 중심으로 다른 쪽에 적층된 제2 전극, 및 제1 및 제2 전극 중 음극과 멤브레인 사이에 개재되어 있으며, 산성 기반 전해질 하에서 수소발생 교환 전류밀도의 로그값이 -4 이하인 전도성 중간층을 포함한다.
Int. CL H01M 8/18 (2015.01.01) H01M 8/0245 (2016.01.01) H01M 8/0232 (2016.01.01) H01M 8/0234 (2016.01.01) H01M 12/08 (2015.01.01)
CPC H01M 8/188(2013.01) H01M 8/188(2013.01) H01M 8/188(2013.01) H01M 8/188(2013.01) H01M 8/188(2013.01)
출원번호/일자 1020180161744 (2018.12.14)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0073509 (2020.06.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.02.13)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이제남 경기도 성남시 분당구
2 김영권 경기도 성남시 분당구
3 도은별 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-1257395-16
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2020.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2020-0155042-81
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.11.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
멤브레인;상기 멤브레인을 중심으로 한 쪽에 적층된 제1 전극;상기 멤브레인을 중심으로 다른 쪽에 적층된 제2 전극; 및상기 제1 및 제2 전극 중 음극과 상기 멤브레인 사이에 개재되어 있으며, 산성 기반 전해질 하에서 수소발생 교환 전류밀도의 로그값이 -4 이하인 전도성 중간층;을 포함하는 아연-브롬 흐름전지
2 2
제1항에 있어서,상기 전도성 중간층은 상온에서 1 S/cm 이상의 전기전도도를 갖는 것을 특징으로 하는 아연-브롬 흐름전지
3 3
제2항에 있어서,상기 전도성 중간층은 금속 또는 탄소 소재인 것을 특징으로 하는 아연-브롬 흐름전지
4 4
제3항에 있어서,상기 금속 소재는 Ti, Zn 또는 SUS를 포함하고,상기 탄소 소재는 탄소나노튜브, 그래핀 또는 그라파이트를 포함하는 것을 특징으로 아연-브롬 흐름전지
5 5
제4항에 있어서,초기 5회 구동 후의 아연 탈착 용량이 직전 구동 시의 방전용량의 150% 이하인 것을 특징으로 하는 아연-브롬 흐름전지
6 6
제 5항에 있어서,구동 전류밀도가 1 내지 100 mA/cm2 에서 선정할 수 있으며, 탈착 시의 전류밀도가 구동 전류밀도의 1/4 이하인 것을 특징으로 하는 아연-브롬 흐름전지
7 7
제1항에 있어서,상기 전도성 중간층은 파이버 시트, 폼 또는 메쉬의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 아연-브롬 흐름전지
8 8
멤브레인, 상기 멤브레인을 사이에 두고 서로 마주보게 배치된 제1 전극과 제2 전극, 상기 제1 전극과 제2 전극에 각각 결합되어 상기 제1 및 제2 전극으로 전해액을 흘려주는 제1 및 제2 플로우 프레임을 구비하며 스택되는 복수의 단위 셀; 및상기 복수의 단위 셀 사이에 개재되고, 스택된 복수의 단위 셀의 양쪽에 스택되는 복수의 바이폴라 플레이트;를 포함하며,상기 단위 셀은,상기 제1 및 제2 전극 중 음극과 상기 멤브레인 사이에 개재되어 있으며, 산성 기반 전해질 하에서 수소발생 교환 전류밀도의 로그값이 -4 이하인 전도성 중간층;을 포함하는 아연-브롬 흐름전지
9 9
제8항에 있어서,상기 전도성 중간층은 상온에서 1 S/cm 이상의 전기전도도를 갖는 것을 특징으로 하는 아연-브롬 흐름전지
10 10
제9항에 있어서,상기 전도성 중간층은 파이버 시트, 폼 또는 메쉬의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 아연-브롬 흐름전지
11 11
제9항에 있어서,초기 5회 구동 후의 아연 탈착 용량이 직전 구동 시의 방전용량의 150% 이하인 것을 특징으로 하는 아연-브롬 흐름전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 전자부품연구원 에너지수요관리핵심기술개발사업 아연-브롬 흐름전지용 유로가 도입된 비대칭 복합 바이폴라전극 및 스택 기술 개발