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페로브스카이트 구조의 화합물 섬광체와 페로브스카이트 구조의 화합물 광전도체가 혼합되어 형성된 섬광체 및 광전도체의 복합체 구조물을 포함하고,하나의 구조물에서, 상기 화합물 섬광체는 조사되는 방사선에 의하여 가시광을 생성하고, 상기 화합물 광전도체는 상기 방사선 또는 상기 가시광에 의하여 전도성을 증가시키는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터의 복합체 구조물
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어레이 형태의 복수의 픽셀 센서를 가지는 이미지 센서; 및상기 이미지 센서의 상부에 부착되며, 페로브스카이트 구조의 화합물 섬광체와 페로브스카이트 구조의 화합물 광전도체가 혼합되어 형성된 섬광체 및 광전도체의 복합체 구조물을 포함하고,스택 없이 하나로 이루어진 상기 복합체 구조물은, 상기 화합물 섬광체는 조사되는 방사선에 의하여 가시광을 생성하고, 상기 화합물 광전도체는 상기 방사선 또는 상기 가시광에 의하여 전도성을 증가시킴으로써,상기 이미지 센서는, 각 픽셀에서의 상기 방사선에 따른 전기적 신호를 독출하기 위한 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제2항에 있어서,상기 방사선 디텍터는, 플렉서블 기판 상에 상기 이미지 센서와 상기 복합체 구조물을 형성한, 커브드 또는 플렉서블 형태의 연성 디텍터를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제2항에 있어서,상기 페로브스카이트 구조의 화합물 섬광체는,CsPbBr3, CsPbCl3, 또는 CsPbI3 중 한 가지 이상을 포함하는 CsPbX3를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제2항에 있어서,상기 복합체 구조물은,NaI(Tl)(탈륨을 첨가한 요오드화 나트륨), CsI(Tl)(탈륨을 첨가한 요오드화 세슘), CsI(Na)(나트륨을 첨가한 요오드화 세슘), BGO, CdWO4, CaF2(Eu), Gd2O2S(Tb), 또는 Gd2O2S(Eu) 중 한가지 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제2항에 있어서,상기 페로브스카이트 구조의 화합물 광전도체는,MAPbBr3을 포함하는 MAPbX3를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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제2항에 있어서,상기 페로브스카이트 구조의 화합물 섬광체와 상기 페로브스카이트 구조의 화합물 광전도체의 분말 사이즈가 10 ~ 1000nm로 제조되어 이용된 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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8
제2항에 있어서,상기 복합체 구조물 상에 형성된 금속 전극을 더 포함하고,상기 이미지 센서의 각 필셀 전극과 상기 금속 전극 간의, 상기 방사선에 따른 전류 흐름에 의한 상기 전기적 신호를 독출하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터
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1차원 또는 2차원 어레이 형태의 복수의 픽셀 센서를 가지는 이미지 센서 상에, 복합체 구조물을 형성하는 단계를 포함하고,상기 복합체 구조물을 형성하는 단계는,페로브스카이트 구조의 화합물 섬광체와 페로브스카이트 구조의 화합물 광전도체의 혼합물을 페이스트 상태로 제조하는 단계; 및상기 이미지 센서 상에, 상기 페이스트 상태의 혼합물을 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터의 복합체 구조물 제작 방법
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제9항에 있어서,상기 페이스트 상태의 혼합물을 도포하는 단계는,스크린 프린팅법 또는 스프레이 코팅법을 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터의 복합체 구조물 제작 방법
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