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기판;상기 기판 상에 배치된 후면전극;상기 후면전극의 적어도 일부에 접하는 그래핀 산화물층;상기 그래핀 산화물층 상에 배치된 광활성층; 및상기 광활성층 상에 배치된 상부전극;을 포함하는,무기 박막 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 그래핀 산화물층의 두께가 50nm 내지 80nm 인 것을 포함하는,무기 박막 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 그래핀 산화물층은, 필름 형상으로 형성되고, 내부를 관통하는 복수의 관통부을 포함하고, 상기 광활성층은 상기 그래핀 산화물층을 관통하는 관통부을 통하여 상기 후면전극과 접촉하는, 무기 박막 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 그래핀 산화물층은, 아일랜드 형상으로 배치되는 복수의 그래핀 산화물을 포함하고, 상기 광활성층은 상기 아일랜드 형상의 그래핀 산화물이 이격된 영역을 통하여 상기 후면전극과 접촉하는, 무기 박막 태양전지
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제 3 항에 있어서, 상기 관통부의 단면의 길이가 0
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제 3 항에 있어서, 상기 관통부간 이격거리가 4μm 이상인 것을 포함하는,무기 박막 태양전지
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제 4 항에 있어서,상기 아일랜드 타입으로 배치되는 개별 그래핀 산화물 사이의 이격거리가 0
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제 4 항에 있어서,상기 아일랜드 타입으로 배치되는 개별 그래핀 산화물의 길이가 4μm 이상인 것을 포함하는,무기 박막 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 그래핀 산화물층 상에 배치된 광활성층은, P형 반도체층(Positive-type semiconductor) 및 상기 P형 반도체층상에 배치된 N형 반도체층(Negative-type semiconductor)을 포함하는,무기 박막 태양전지
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제 1 항에 있어서,투명 전극층을 더 포함하고,상기 투명 전극층은 상기 광활성층 및 상기 상부전극의 사이에 배치된무기 박막 태양전지
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기판상에 후면전극을 배치하는 단계;상기 후면전극 상의 적어도 일부에 접하는 패턴을 갖도록 배치된 그래핀 산화물층을 배치하는 단계;상기 그래핀 산화물층 상에 광활성층을 배치하는 단계; 및상기 광활성층 상에 상부전극을 배치하는 단계;를 포함하는무기 박막 태양전지의 제조방법
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