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전계 효과 트랜지스터의 제조 방법 및 그래핀 소자에서 PMMA를 제거하는 방법

  • 기술번호 : KST2020007809
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따른 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법은, 기판 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 그래핀 상에 PMMA의 적어도 일부가 결합되어 적층된 구조체를 형성하는 단계; 상기 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 반도체 기판 상에, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 상기 구조체를 적층하는 단계; 및 상기 구조체의 상면에 전자 빔을 조사한 후 현상함으로써 상기 구조체 중 PMMA를 제거하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 29/417 (2006.01.01) H01L 29/16 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 21/8234 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01)
CPC H01L 29/41725(2013.01) H01L 29/41725(2013.01) H01L 29/41725(2013.01) H01L 29/41725(2013.01) H01L 29/41725(2013.01) H01L 29/41725(2013.01) H01L 29/41725(2013.01) H01L 29/41725(2013.01)
출원번호/일자 1020180159624 (2018.12.12)
출원인 아주대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2127740-0000 (2020.06.23)
공개번호/일자 10-2020-0071971 (2020.06.22) 문서열기
공고번호/일자 (20200629) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.12.12)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안영환 경기도 용인시 수지구
2 손병희 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 아주대학교산학협력단 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-1244623-38
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0549394-08
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.11.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0137677-31
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0049482-94
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0274697-78
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2020-0274698-13
8 등록결정서
Decision to grant		 2020.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0421429-11
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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반도체 기판 상에 복수의 전계 효과 트랜지스터에 해당하는 복수의 소스 전극 및 복수의 드레인 전극을 형성하는 단계;그래핀 상에 PMMA의 적어도 일부가 결합되어 적층된 구조체를 형성하는 단계;상기 복수의 소스 전극 및 복수의 드레인 전극이 형성된 반도체 기판 상에, 상기 복수의 전계 효과 트랜지스터에 해당하는 복수의 소스 전극 및 복수의 드레인 전극을 덮도록 상기 구조체를 적층하는 단계; 상기 구조체의 상면의 상기 복수의 전계 효과 트랜지스터에 해당하는 영역 전체에 전자 빔을 조사하고 현상한 후 상기 현상된 구조체를 용매를 이용하여 에칭함으로써 상기 구조체 중 PMMA를 제거하여, 상기 복수의 소스 전극 및 복수의 드레인 전극을 포함하는, 상기 복수의 전계 효과 트랜지스터에 해당하는 영역 전체의 그래핀을 노출시키는 단계; 및상기 PMMA가 제거된 그래핀이 상기 복수의 전계 효과 트랜지스터의 각각의 소스 전극과 드레인 전극을 연결하도록, 리소그래피를 이용하여 상기 PMMA가 제거된 그래핀을 패터닝하는 단계를 포함하는 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 구조체를 형성하는 단계는,구리 호일 상에 상기 그래핀을 형성하는 단계;상기 그래핀 상에 상기 PMMA를 형성하는 단계; 및상기 구리 호일을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 아주대학교 중견연구자지원사업(핵심-개인) 유전상수제로 하이브리드 센서 개발
2 경기도 아주대학교 경기도지역협력연구센터 광-의료 융합 기술 연구 센터