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은나노와이어, 그래핀 및 전도성 고분자 박막을 포함하는 그래핀-은나노와이어 나노복합체 전극으로,상기 전도성 고분자 박막은 폴리(3,4-에틸렌디옥시싸이오펜):폴리스티렌 설포네이트(PEDOT:PSS)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전도성 고분자가 코팅된 그래핀-은나노와이어 나노복합체 전극
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제1항에 있어서,상기 그래핀-은나노와이어 나노복합체 전극의 면 저항은 4 내지 8O/sq인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자가 코팅된 그래핀-은나노와이어 나노복합체 전극
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제1항에 있어서,상기 그래핀-은나노와이어 나노복합체 전극 표면 RMS 거칠기(root mean square roughness)가 2 내지 3
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(a) 그래핀과 은나노와이어를 이용하여 그래핀-은나노와이어 나노복합체 전극을 준비하는 단계; 및(b) 상기 그래핀-은나노와이어 나노복합체 전극 상에 전도성 고분자 용액을 코팅하여 전도성 고분자 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자가 코팅된 그래핀-은나노와이어 나노복합체 전극의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 (a) 단계는,그래핀 층을 형성하는 그래핀 층 형성 단계;상기 그래핀 층 위에 은 나노와이어를 코팅하는 은 나노와이어 층 형성 단계; 및상기 그래핀 층 형성 단계와 상기 은 나노와이어 층 형성 단계를 순차적으로 반복 수행하여 그래핀-은나노와이어 나노복합체 전극을 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자가 코팅된 그래핀-은나노와이어 나노복합체 전극의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 그래핀 층 형성 단계는 기판 상에 화학증기 증착법, 기계적 박리법, 화학적 박리법, 에피택시 합성법 및 유기 합성법 중에서 선택되는 어느 하나의 방법을 통해 그래핀 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자가 코팅된 그래핀-은나노와이어 나노복합체 전극의 제조 방법
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제5항에 있어서,은 나노와이어 층 형성 단계는,스핀 코팅 방법으로 상기 그래핀 층 위에 은 나노와이어를 코팅하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자가 코팅된 그래핀-은나노와이어 나노복합체 전극의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 전도성 고분자 용액은,폴리(3,4-에틸렌디옥시싸이오펜):폴리스티렌 설포네이트(PEDOT:PSS) 수분산 용액인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자가 코팅된 그래핀-은나노와이어 나노복합체 전극의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 전도성 고분자 용액은,전체 전도성 고분자 용액 100 중량%를 기준으로, 상기 폴리(3,4-에틸렌디옥시싸이오펜) 0
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제4항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 그래핀-은나노와이어 나노복합체 전극 상에 전도성 고분자 용액을 스핀코팅 방법으로 1100 내지 1700 rpm의 회전수로 코팅하여 전도성 고분자 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자가 코팅된 그래핀-은나노와이어 나노복합체 전극의 제조 방법
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