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질화물계 반도체 수광 소자

  • 기술번호 : KST2020007904
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 기판, 상기 기판 상에 배치된 제1 및 제2 반도체층 및 상기 제1 및 제2 반도체층 상에 배치되며, 다중 파장의 광을 흡수하는 광흡수층을 포함하고, 상기 광흡수층은, 제1 파장의 광을 흡수하는 제1 광흡수층 및 상기 제1 파장과 다른 제2 파장의 광을 흡수하는 제2 광흡수층을 포함하는 질화물계 반도체 수광 소자를 제공한다.
Int. CL H01L 31/0304 (2006.01.01) H01L 31/0352 (2006.01.01)
CPC H01L 31/03048(2013.01) H01L 31/03048(2013.01)
출원번호/일자 1020180153805 (2018.12.03)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0066993 (2020.06.11) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.12.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전성란 광주광역시 광산구
2 송영호 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-1209474-66
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0046241-51
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0265341-76
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2020-0588760-88
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.06.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0588761-23
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0606551-12
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2020.09.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-1037271-18
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-1037270-73
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2020.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0717998-76
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 배치되며, 질화물계 소재로 이루어진 제1 및 제2 반도체층; 및상기 제1 및 제2 반도체층 상에 배치되며, 질화물계 소재로 이루어져 다중 파장의 광을 흡수하는 광흡수층;을 포함하고,상기 광흡수층은,제1 파장의 광을 흡수하는 제1 광흡수층; 상기 제1 파장과 다른 제2 파장의 광을 흡수하는 제2 광흡수층; 및상기 제1 파장 및 제2 파장과 다른 제3 파장의 광을 흡수하는 제3 광흡수층;을 포함하며,상기 제1 내지 제3 광흡수층은,InGaN 또는 AlGaN의 단일 성분으로 형성되어 상기 제1 및 제2 반도체층 사이에 수평 또는 수직적으로 배치되며, In 조성비가 상기 제2 광흡수층, 상기 제3 광흡수층 및 상기 제1 광흡수층 순서로 높아지거나 또는 Al 조성비가 상기 제1 광흡수층, 상기 제3 광흡수층 및 상기 제2 광흡수층 순서로 높아지게 하여 상기 제1 또는 제2 반도체층으로 입사되는 상기 제1 파장 내지 제3 파장의 광을 서로 구분하여 흡수하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 수광 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제1 파장은,상기 제2 파장보다 긴 파장인,질화물계 반도체 수광 소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제3 광흡수층은,상기 제1 파장 보다 짧고 상기 제2 파장 보다 긴 제3 파장의 광을 흡수하는 것을 특징으로 하는질화물계 반도체 수광 소자
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 제1 내지 제3 광흡수층은,In 조성비 또는 Al 조성비가 서로 다른,질화물계 반도체 수광 소자
7 7
삭제
8 8
제 3 항에 있어서,상기 제1 내지 제3 광흡수층은 InGaN으로 형성되며, 상기 제1 광흡수층, 상기 제3 광흡수층 및 상기 제2 광흡수층 순서로 장 파장의 광을 흡수하는 것을 특징하는 질화물계 반도체 수광 소자
9 9
제 3 항에 있어서,상기 제1 내지 제3 광흡수층은 AlGaN으로 형성되며,상기 제1 광흡수층, 상기 제3 광흡수층 및 상기 제2 광흡수층 순서로 장 파장의 광을 흡수하는 것을 특징하는 질화물계 반도체 수광 소자
10 10
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주) 옵트론텍 우수기술연구센터(ATC) 멀티밴드 영상을 이용한 차량용 주야간 복합 이미징 시스템 개발