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스트레인 인가층을 포함하는 다중 파장 발광 소자

  • 기술번호 : KST2020007905
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스트레인 인가층을 포함하는 다중 파장 발광 소자에 관한 것으로, 하나의 발광 소자에 인가되는 전류의 세기에 따라서 다양한 파장의 광을 출력할 수 있도록 하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 다중 파장 발광 소자는 다중양자우물구조의 활성층과 제2 반도체층 사이에 스트레인 인가층이 개재된 구조를 갖는다. 스트레인 인가층은 활성층의 최상부 양자우물층 위에 형성되며, 최상부 양자장벽층 보다 인듐 조성비가 크기 때문에, 양자장벽층과의 계면에서 컴프레시브 스트레인(compressive strain)이 발생하도록 함으로써, 인가되는 전류의 세기에 따라서 다양한 파장의 광이 출력될 수 있도록 한다.
Int. CL H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/08 (2010.01.01) H01L 33/32 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01)
출원번호/일자 1020180153804 (2018.12.03)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-2155544-0000 (2020.09.08)
공개번호/일자 10-2020-0066992 (2020.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20200914) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.12.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전성란 광주광역시 광산구
2 송영호 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-1209473-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0140600-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0914440-19
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2020-0117740-51
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.02.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0117741-07
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0444814-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-0795048-98
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2020.07.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0795049-33
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2020.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0590204-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 위에 형성되는 제1 반도체층;상기 제1 반도체층 위에 형성되며, 인듐을 포함하는 복수의 양자우물층과 인듐을 포함하는 복수의 양자장벽층이 교대로 적층되되 마지막에 최상부 양자우물층이 배치되는 다중양자우물구조를 갖는 활성층;상기 활성층의 최상부 양자우물층 위에 직접 단일층으로 형성되며, 상기 최상부 양자우물층 아래의 최상부 양자장벽층과의 계면에서 컴프레시브 스트레인(compressive strain)이 발생하도록 상기 최상부 양자장벽층 보다 인듐 조성비가 크고, 상기 활성층의 양자우물층의 인듐 조성비 보다는 낮은 스트레인 인가층; 및상기 스트레인 인가층 위에 형성되는 제2 반도체층;을 포함하는 스트레인 인가층을 포함하는 다중 파장 발광 소자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 스트레인 인가층은 InxGa1-xN(0
4 4
제3항에 있어서,상기 제1 반도체층은 u-GaN과 n-GaN이 순차적으로 적층된 n 타입의 반도체층이고,상기 제2 반도체층은 p-GaN으로 이루어진 p 타입의 반도체층이고,상기 활성층은 InxGa1-xN(0003c#x003c#1)으로 이루어지되, 상기 복수의 양자우물층의 인듐 조성비는 0
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 간에 인가되는 전류의 세기에 따라서 발광파장의 대역이 변화하는 것을 특징으로 하는 스트레인 인가층을 포함하는 다중 파장 발광 소자
6 6
제5항에 있어서,상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 간에 특정 세기의 전류가 인가되면, 두 개의 파장대역의 광이 출력되는 것을 특징으로 하는 스트레인 인가층을 포함하는 다중 파장 발광 소자
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제5항에 있어서,상기 인가되는 전류의 세기가 20mA 내지 350mA인 경우, 480nm 내지 540nm 파장대역의 광이 출력되는 것을 특징으로 하는 스트레인 인가층을 포함하는 다중 파장 발광 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주) 옵트론텍 우수기술연구센터(ATC) 멀티밴드 영상을 이용한 차량용 주야간 복합 이미징 시스템 개발