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저항 메모리 디바이스로서:복수의 워드라인;복수의 비트라인; 및상기 복수의 워드라인과 상기 복수의 비트라인 사이에 배치되어 상기 복수의 워드라인 중의 하나와 상기 복수의 비트라인 중의 하나와 각각 전기적으로 연결된 복수의 저항 메모리 셀;을 포함하고,상기 복수의 저항 메모리 셀 각각은 저항 변화층과 상기 저항 변화층을 워드라인과 전기적으로 연결하는 상부 전극을 포함하며,상기 상부 전극은 상기 저항 변화층의 일부분에 접촉되는 기둥형이고,상기 저항 변화층은 해당 상부 전극의 하단부가 삽입되는 홈을 제공하고, 상기 상부 전극은 하단부가 상기 저항 변화층의 홈에 삽입되는 저항 메모리 디바이스
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청구항 1에 있어서,상기 저항 변화층의 홈에 삽입된 상기 상부 전극의 하단부는 라운드진 형태를 갖는 저항 메모리 디바이스
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청구항 1에 있어서,상기 상부 전극은 아래방향으로 둘레가 작아지는 원뿔대 또는 각뿔대 형상을 가지는 것인 저항 메모리 디바이스
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청구항 1에 있어서,상기 복수의 저항 메모리 셀 각각은 상기 저항 변화층의 하면에 연결된 셀렉터(selector)를 더 포함하는 것인 저항 메모리 디바이스
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청구항 1에 있어서,상기 저항 변화층의 각각은 상기 복수의 비트라인들의 길이방향으로 연장되어 인접하는 셀들간에 연결된 형태이거나, 각각의 셀마다 분리된 형태를 가지는 것인 저항 메모리 디바이스
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저항 메모리 디바이스 제조방법으로서:(Ⅰ) 복수의 비트라인을 배열하여 형성하는 단계;(Ⅱ) 상기 복수의 비트라인 각각의 상에 복수의 저항 메모리 셀을 형성하는 단계;(Ⅲ) 상기 복수의 비트라인과 교차하는 방향으로 배열되어 상기 복수의 저항 메모리 셀 중의 정해진 메모리 셀들과 전기적으로 연결되는 복수의 워드라인을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 단계 (Ⅱ)는 상기 복수의 비트라인 각각 상에 서로 이격된 복수의 셀렉터와, 상기 복수의 셀렉터 상에 배치되는 복수의 저항 변화층과, 상기 복수의 저항 변화층 상에 배치되는 복수의 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 상부 전극의 형성은 상기 복수의 저항 변화층 상에 해당 저항 변화층에 대응하는 적어도 하나의 홀을 제공하도록 복수의 홀을 가지는 절연층을 형성한 후 상기 홀 각각에 금속을 충진하는 것이고,상기 복수의 홀은 상기 절연층을 식각하여 형성하고, 상기 식각에서 하위의 저항 변화층의 일부분이 제거되도록 오버 에치를 수행하는 것인 저항 메모리 디바이스 제조방법
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청구항 6에 있어서, 상기 단계 (Ⅱ)에서,상기 복수의 홀은 상기 절연층을 건식각 또는 습식각하여 콘 형상으로 형성하는 것인 저항 메모리 디바이스 제조방법
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