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제1 챔버에서 염화은 페이스트 및 제1 니켈스크랩을 반응시켜 은을 회수하는 제1 단계; 상기 제1 챔버와 분리된 별도의 공간인 제2 챔버에서 상기 반응된 제1 니켈스크랩을 수증기와 반응시킨 후, 수소와 반응시켜 상기 제1 니켈스크랩을 재생하는 제2 단계; 및상기 제2 단계로부터 재생된 제1 니켈스크랩을 상기 제1 챔버의 상기 염화은 페이스트와 반응시켜 은을 회수하는 제3 단계를 포함하고,은 회수율을 높임을 특징으로 하는,은 회수 방법
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제1항에 있어서,상기 니켈 스크랩을 상기 염화은 페이스트 내에서 휘젓음(stir)을 특징으로 하는,은 회수 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 단계에서, 상기 수증기와 반응 후 NiO가 생성됨을 특징으로 하는, 은 회수 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 단계에서, 상기 수소와의 반응 후 NiO로부터 Ni이 환원됨을 특징으로 하는,은 회수 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 단계 동안, 제2 니켈스크랩을 이용하여 상기 제1 단계를 수행함으로써, 은 회수율을 높임을 특징으로 하는,은 회수 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 단계는, 상기 제2 챔버에 상기 수증기를 유입시키면서 오프가스(off-gas)를 배기시키고,이후 상기 수소 가스를 유입시키면서 오프가스 배기시킴을 포함하는,은 회수 방법
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제1항에 있어서,상기 염화은 페이스트는,은스크랩 소각재를 질산에 용해시켜 침전물을 분리한 용액을 염산과 반응시킨 후 수득한 염화은을 증류수로 세척한 후 얻어진 페이스트임을 특징으로 하는,은 회수 방법
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제11항에 있어서,상기 질산과의 용해는 70~90℃의 질산에서 수행함을 특징으로 하는,은 회수 방법
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제11항에 있어서,상기 염산과의 반응은 상온에서 수행함을 특징으로 하는,은 회수 방법
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염화은 페이스트를 수용할 수 있는 내부 공간을 구비하는 제1 챔버;상기 제1 챔버에서 상기 염화은 페이스트와 제1 니켈스크랩을 반응시키는 니켈스크랩 반응 수단; 및상기 제1 챔버와 별도로 분리되어 위치하고, 상기 반응 수단에 의해 상기 염화은과 반응된 상기 제1 니켈스크랩을 수용하는 내부 공간을 구비하고, 수증기 및 수소 가스가 유입되는 가스 유입구 및 오프 가스가 배출되는 가스 배출구를 포함하여 상기 염화은과 반응된 상기 제1 니켈스크랩을 재생시키는 제2 챔버를 포함하고,상기 제2 챔버로부터 재생된 니켈스크랩을 다시 상기 반응 수단에 도입하도록 구성되어, 은 회수율을 높이는 것을 특징으로 하는,은스크랩으로부터 은을 회수하는 은회수 장치
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제14항에 있어서,상기 은회수 장치는,상기 염화은 페이스트 장치를 더 포함하고,상기 염화은 페이스트 장치는,은스크랩 소각재와 질산용액을 반응시키는 질산용해수단;상기 질산용해수단으로부터 침전물을 분리하여 용액을 회수하는 용액회수수단;상기 용액회수수단에 의해 회수된 용액을 염산과 반응시키는 염산반응수단;상기 염산반응수단으로부터 침전물을 분리하여 회수하는 침전물분리수단; 및상기 침전물을 수세하는 수세수단을 포함하는 것을 특징으로 하는,은스크랩으로부터 은을 회수하는 은회수 장치
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제14항에 있어서,상기 제2 챔버는,상기 염화은과 반응된 상기 제1 니켈스크랩을 수용하는 내부 공간을 가열하는 가열수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는,은스크랩으로부터 은을 회수하는 은회수 장치
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제14항에 있어서,상기 은회수 장치는상기 제2 챔버에서 상기 제1 니켈스크랩을 재생하는 동안에,제2 니켈스크랩을 상기 반응 수단에 의해 상기 염화은 페이스트와 반응하도록 구성되어, 상기 염화은 페이스트로부터 은 회수율을 높이는 것을 특징으로 하는,은스크랩으로부터 은을 회수하는 은회수 장치
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