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기판 상의 복수의 도전성 패턴을 덮도록 기판 상에 절연성 폴리머층을 형성하는 단계; 적어도 하나의 압력 부재를 이용하여 상기 절연성 폴리머층을 하방으로 가압하여 상기 절연성 폴리머층을 평탄화하는 단계; 및상기 복수의 도전성 패턴의 적어도 일부를 노출하도록 평탄화된 상기 절연성 폴리머층을 패터닝하는 단계;를 포함하고,상기 적어도 하나의 압력 부재는 적어도 하나의 롤러를 포함하고,상기 평탄화하는 단계는 적어도 하나의 롤러를 상기 절연성 폴리머층 상에서 굴리면서 상기 절연성 폴리머층을 국부적으로 가압하는 단계를 포함하고,상기 절연성 폴리머층을 형성하는 단계는 용제가 부가된 코팅액을 이용한 코팅 공정을 이용하여 수행하고,상기 평탄화하는 단계는 상기 절연성 폴리머층에서 용제가 외부로 배출될 수 있도록 상기 절연성 폴리머층의 적어도 일부가 노출되도록 상기 적어도 하나의 롤러를 상기 절연성 폴리머층 상에서 굴리면서 수행하는,반도체 패키지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 평탄화하는 단계는 가열된 분위기에서 진행됨으로써 상기 절연성 폴리머층을 평탄화하면서 동시에 상기 절연성 폴리머층을 소프트 베이크(soft-bake)하도록 수행하는,반도체 패키지의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 평탄화하는 단계는 RF 파워를 인가하여 상기 도전성 패턴을 유도 가열함으로써 상기 절연성 폴리머층을 국부적으로 가열하는 단계를 포함하는, 반도체 패키지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 평탄화하는 단계에서, 상기 적어도 하나의 롤러는 가열된 상태인, 반도체 패키지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 평탄화하는 단계는, 상기 적어도 하나의 롤러의 자체 하중에 하방 압력을 부가하면서 상기 적어도 하나의 롤러를 상기 절연성 폴리머층 상에서 굴리면서 수행하는,반도체 패키지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 절연성 폴리머층은 감광성 폴리머층을 포함하고,상기 절연성 폴리머층을 패터닝하는 단계는 상기 감광성 폴리머층을 노광한 후 현상하는 단계를 포함하는,반도체 패키지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 평탄화하는 단계는,적어도 하나의 플레이트로 상기 절연성 폴리머층을 하방으로 가압하는 단계;를 더 포함하는,반도체 패키지의 제조방법
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제 1 항 및 제 4 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 반도체 웨이퍼이고,상기 도전성 패턴은 도전성 패드 또는 재배선 패턴을 포함하고,상기 절연성 폴리머층을 형성하는 단계 및 상기 평탄화하는 단계는 웨이퍼 레벨로 진행하는,반도체 패키지의 제조방법
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제 1 항 및 제 4 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 복수의 반도체 칩들이 실장된 몰드 웨이퍼를 포함하고,상기 복수의 도전성 패턴은 상기 복수의 반도체 칩들의 도전성 패드들의 적어도 일부를 상기 몰드 웨이퍼 상에서 상기 복수의 반도체 칩들 외측으로 연결하는 재배선 패턴을 포함하고,상기 반도체 패키지는 팬 아웃 웨이퍼 레벨 패키지(FOWLP)인, 반도체 패키지의 제조방법
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