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기판 상에 산화물 반도체 박막을 형성하는 방법에 있어서, a) 자성 원소 기반의 도펀트(dopant)를 구비하는 산화물 반도체 재료를 포함하는 소스(source) 용액을 준비하는 단계; b) 상기 소스 용액을 저장조 내에 채우고, 저장조에 초음파를 인가하여 소스 용액을 액적 상태로 만들어 반응 챔버 내로 투입하는 단계; 및c) 상기 반응 챔버에 투입된 액적 상태의 용액에 화학적 반응을 일으켜 반응물을 상기 기판 상에 성장하여 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 단계 a)에서의 소스 용액은 산화물 반도체를 제조하기 위한 염화코발트(CoCl2), 염화주석(SnCl4), 정제수, 에탄올이 혼합된 용액인 전자파 차폐형 산화물 반도체 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 a)에서의 상기 자성 원소 기반의 도펀트는 Co, Mn, Ni, Fe, Cu, Zn 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전자파 차폐형 산화물 반도체 박막 제조방법
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제2항에 있어서,상기 Co, Mn, Ni, Fe, Cu, Zn 도펀트를 상기 산화물 반도체에 도핑함에 있어서, Co, Mn, Ni, Fe, Cu, Zn 중 한 가지 원소만 도핑하거나, 두 가지 이상의 원소를 도핑하는 전자파 차폐형 산화물 반도체 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 a)에서의 상기 산화물 반도체 재료는 SnO2, ITO, FTO, In2O3, ZnO, CuAlO2, TiO2, PbO2 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전자파 차폐형 산화물 반도체 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 a)에서 상기 도펀트로 코발트(Co)가 사용되고, 산화물 반도체로 SnO2가 사용될 경우 코발트(Co)와 주석(Sn)의 혼합비(Rcs)는 0
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제1항에 있어서,상기 단계 b)에서 상기 소스 용액에 초음파를 인가하여 소스 용액을 액적 상태로 만들어 반응 챔버 내로 투입함에 있어서, 액적 상태의 미립자가 반응 챔버 내로 원활하게 이동하도록 하기 위해 상기 저장조 내에 캐리어 가스(carrier gas)를 투입하는 전자파 차폐형 산화물 반도체 박막 제조방법
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제7항에 있어서,상기 캐리어 가스는 질소(N2), 아르곤(Ar), 산소(O2), 공기 중 어느 하나인 전자파 차폐형 산화물 반도체 박막 제조방법
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제7항에 있어서,상기 캐리어 가스가 채워져 있는 용기와 상기 저장조 사이의 캐리어 가스의 이동 경로 상에는 상기 캐리어 가스의 용기로부터 상기 저장조 내부로 투입되는 캐리어 가스의 양을 일정하게 조절하기 위해 MFC(Mass Flow Controller)가 설치되는 전자파 차폐형 산화물 반도체 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 c)에서 상기 반응 챔버에 투입된 액적 상태의 용액에 화학적 반응을 일으켜 반응물을 상기 기판 상에 성장하여 박막을 형성함에 있어서, 초음파 분무 열분해 증착법, 졸-겔법, 수열합성법, 알콕사이드법, 스퍼터링법, 증발증착법, 화학기상증착법 중 어느 하나가 사용되는 전자파 차폐형 산화물 반도체 박막 제조방법
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