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말단에 싸이올기를 가지고, 상기 싸이올기는 그래핀 옥사이드의 에폭시기와 반응하여 결합하는, 하기 화학식 1의, 양이온 교환막 충진제용 술폰산기를 가진 고분자 화합물: [화학식 1]상기 화학식 1에서, -A- 는 -S-R-S-, 또는 -O-X-O- 이고,-R- 은 , 또는 이고,-X- 는 , 또는 이고,2, 3, 5, 6, 2', 3', 5', 및 6' 탄소 중 1 내지 8 개의 탄소에 술폰산기(-SO3M)가 결합되어 있고, n, m 및 z는 각각 1 이상 20 이하의 정수이고, M은 수소원자 또는 금속임
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청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 고분자 화합물은, 술폰화 4,4'-다이플루오로다이페닐 술폰 및 4,4'-싸이오비스벤젠싸이올(TBBT)의 반응에 의해 제조되고, 상기 술폰화 4,4'-다이플루오로다이페닐 술폰은 4,4'-다이플루오로다이페닐 술폰의 벤젠고리에 1 내지 8 개의 술폰산기(-SO3-)가 직접 결합되어 있는 것을 특징으로 하는, 고분자 화합물
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청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 고분자 화합물은, 술폰화 4,4'-다이플루오로다이페닐 술폰과 HO-X-OH의 축합중합반응 및 상기 축합중합반응 이후 4,4'-싸이오비스벤젠싸이올(TBBT)과의 반응에 의해 제조되고, 상기 술폰화 4,4'-다이플루오로다이페닐 술폰은 4,4'-다이플루오로다이페닐 술폰의 벤젠고리에 1 내지 8 개의 술폰산기(-SO3-)가 직접 결합되어 있는 것을 특징으로 하는, 고분자 화합물
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청구항 2에 있어서,상기 4,4'-싸이오비스벤젠싸이올(TBBT)과의 반응은, 염기가 도입되어 상기 고분자 화합물의 말단에 싸이올(thiol)기를 갖도록 하는 것을 특징으로 하는, 고분자 화합물
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청구항 4에 있어서,상기 염기는 탄산염인 것을 특징으로 하는, 고분자 화합물
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청구항 2에 있어서, 상기 술폰화 4,4'-다이플루오로다이페닐 술폰은 4,4'-다이플루오로다이페닐 술폰(DFDPS)의 술폰화반응에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는, 고분자 화합물
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그래핀 옥사이드 및 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항의 고분자 화합물이 결합된, 술폰화 그래핀 옥사이드
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청구항 7에 있어서,상기 술폰화 그래핀 옥사이드는,상기 그래핀 옥사이드 100 중량부, 및 상기 고분자 화합물 0
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청구항 7의 술폰화 그래핀 옥사이드를 포함하는, 양이온 교환막용 충진제
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청구항 9에 있어서, 상기 충진제의 평균 입경이 10 nm 내지 100 μm인, 양이온 교환막용 충진제
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청구항 9의 양이온 교환막용 충진제, 및 탄화수소계 고분자 또는 과불소계 고분자를 포함하는, 양이온 교환막
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청구항 11에 있어서,상기 탄화수소계 고분자는, 술폰화 폴리이미드, 술폰화 폴리아릴렌에테르술폰, 술폰화 폴리에테르에테르케톤, 술폰화 폴리벤즈이미다졸, 술폰화 폴리술폰, 술폰화 폴리스티렌, 술폰화 폴리에테르이미드, 술폰화 폴리페닐렌설파이드, 술폰화 폴리페닐퀴녹살린, 술폰화 폴리포스파젠, 및 이들의 혼합물로 구성되는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 양이온 교환막
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청구항 11에 있어서, 상기 양이온 교환막은,상기 탄화수소계 고분자 100 중량부, 및상기 양이온 교환막용 충진제 0
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청구항 11의 양이온 교환막을 포함하는, 막전극접합체
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청구항 14의 막전극접합체를 포함하는, 연료전지
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