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투명전극 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2020008220
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 우수한 신뢰성의 투명전극 및 그의 제조방법이 제안된다. 본 투명전극은 투명전극은 그래핀층; 및 그래핀층 상의, 표면에 금속산화물층이 형성된 금속나노와이어층;을 포함한다.
Int. CL H01B 5/00 (2006.01.01) H01B 1/02 (2006.01.01) H01B 1/04 (2006.01.01)
CPC H01B 5/00(2013.01) H01B 5/00(2013.01) H01B 5/00(2013.01) H01B 5/00(2013.01)
출원번호/일자 1020180167681 (2018.12.21)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0078099 (2020.07.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.02.20)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형근 경기도 용인시 수지구
2 이규현 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-1292901-96
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2020.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2020-0180162-37
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀층; 및 그래핀층 상의, 표면에 금속산화물층이 형성된 금속나노와이어층;을 포함하는 투명전극
2 2
청구항 1에 있어서, 금속나노와이어는 은나노와이어이고, 금속산화물층은 AZO인 것을 특징으로 하는 투명전극
3 3
청구항 1에 있어서, 금속산화물층은 두께가 10 내지 30nm인 것을 특징으로 하는 투명전극
4 4
청구항 1에 있어서, 금속산화물층은 금속산화물 원자층이 2내지 10층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 투명전극
5 5
청구항 1에 있어서, 금속산화물층은 금속나노와이어층의 빈공간의 적어도 일부를 채우는 것을 특징으로 하는 투명전극
6 6
청구항 5에 있어서, 금속산화물층은 전도성 금속산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극
7 7
금속기판 상에 화학기상증착공정으로 그래핀층을 형성하는 단계;그래핀층 상에 금속나노와이어층을 형성하는 단계;원자층증착공정으로 금속나노와이어 표면에 금속산화물층을 형성하는 단계; 및금속기판을 제거하는 단계;를 포함하는 투명전극 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서, 금속산화물층을 형성하는 단계는 금속나노와이어층의 적어도 일부의 빈공간을 채우도록 금속산화물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 투명전극 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 전자부품연구원 나노·소재기술개발 품질 평가 라이브러리 구축을 위한 CVD 그래핀 제조 및 전처리 장비 개발