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자발 분극 동작 원리를 이용한 뉴런 소자에 있어서,제 1 방향으로 서로 나란하게 연장 형성된 복수의 게이트 전극들,상기 제 1 방향으로 서로 나란하게 연장 형성된 복수의 드레인 전극들,상기 게이트 전극들과 드레인 전극들 사이에서 상기 제 1 방향과 교차하도록 배치되며, 서로 나란하게 연장 형성된 복수의 소스 전극들,상기 게이트 전극들과 상기 소스 전극들의 교차지점에 형성된 유전층,상기 드레인 전극들과 상기 소스 전극들의 교차지점에 형성된 반도체층을 포함하되,상기 드레인 전극들은 뉴런 후 시냅스 연결단자로서 기능하며, 상기 게이트 전극들은 상기 유전층의 전기 쌍극자들의 정렬 방향을 조절하여 상기 뉴런 소자의 발화 시점 및 높이를 조절하는 기능을 수행하는 뉴런 소자
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제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극들은 바닥면에 위치하고, 상기 드레인 전극들은 상부면에 위치하며, 상기 게이트 전극들의 상부면으로부터 순차적으로 상기 유전층, 소스 전극들 및 반도체층이 적층 된 것인 뉴런 소자
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제 1 항에 있어서,상기 드레인 전극들은 바닥면에 위치하고, 상기 게이트 전극들은 상부면에 위치하며, 상기 드레인 전극들의 상부면으로부터 순차적으로 상기 반도체층, 소스 전극들 및 유전층이 적층된 것인 뉴런 소자
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제 1 항에 있어서,상기 소스 전극들에 인가되는 입력 전압 신호에 따라 상기 드레인 전극들에서 출력되는 출력 전압을 기초로 임계값과 비교하고, 상기 게이트 전극에 인가될 전압을 조절하는 제어부를 더 포함하되,상기 제어부는 상기 출력 전압이 임계값 이상일 경우 상기 유전층의 전기 쌍극자들의 정렬 방향이 반대 반향으로 정렬되도록 상기 게이트 전극에 초기화 전압을 인가하는 것인 뉴런 소자
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제 4 항에 있어서,상기 제어부는 일정한 입력 전압 펄스를 인가하여 순간적으로 발생하는 높은 전류에 의해, 상기 발화 시점 및 발화 높이를 조절하는 것인 뉴런 소자
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제 1 항에 있어서,상기 유전층은페로브스카이트(perovskite) 구조를 가지는 물질, 폴리머(polymer) 물질 및 산화막 중 적어도 하나를 포함하는 것인 뉴런 소자
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자발 분극 동작 원리를 이용한 뉴런 소자의 제조 방법에 있어서,기판상에 제 1 방향으로 서로 나란하게 연장되도록 복수의 게이트 전극들을 형성하는 단계;상기 게이트 전극들의 상부에서 하기의 소스 전극들과 교차할 지점에 유전층을 형성하는 단계;상기 제 1 방향과 교차하도록 배치되며, 상기 유전층의 상부에 서로 나란하게 연장되도록 복수의 소스 전극들을 형성하는 단계;상기 소스 전극들의 상부에서 하기의 드레인 전극들과 교차할 지점에 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 소스 전극들과 교차하도록 배치되며, 상기 반도체층의 상부에 상기 제 1 방향으로 서로 나란하게 연장 되도록 복수의 드레인 전극들을 형성하는 단계를 포함하되,상기 드레인 전극들은 뉴런 후 시냅스 연결단자로서 기능하며, 상기 게이트 전극들은 상기 유전층의 전기 쌍극자들의 정렬 방향을 조절하여 뉴런 소자의 발화 시점 및 높이를 조절하는 기능을 수행하는 뉴런 소자의 제조 방법
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자발 분극 동작 원리를 이용한 뉴런 소자의 제조 방법에 있어서,기판상에 제 1 방향으로 서로 나란하게 연장되도록 복수의 드레인 전극들을 형성하는 단계;상기 드레인 전극들의 상부에서 하기의 소스 전극들과 교차할 지점에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제 1 방향과 교차하도록 배치되며, 상기 반도체층의 상부에 서로 나란하게 연장되도록 복수의 소스 전극들을 형성하는 단계;상기 소스 전극들의 상부에 하기의 게이트 전극들과 교차할 지점에 유전층을 형성하는 단계;상기 소스 전극들과 교차하도록 배치되며, 상기 유전층의 상부에 상기 제 1 방향으로 서로 나란하게 연장 되도록 복수의 게이트 전극들을 형성하는 단계를 포함하되,상기 소스 전극들은 드레인 전극들은 뉴런 후 시냅스 연결단자로서 기능하며, 게이트 전극들은 유전층의 전기 쌍극자들의 정렬 방향을 조절하여 뉴런 소자의 발화 시점 및 높이를 조절하는 기능을 수행하는 뉴런 소자의 제조 방법
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