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하기 화학식 1로 표시되는 화합물:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1에서,1) R1 내지 R18은 각각 수소, 중수소, 할로겐, C6~C60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C60의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; 및 C6~C30의 아릴옥시기에서 선택되며, 상기 R1 내지 R18은 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,2) Ar1 및 Ar2는 각각 C6~C60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; 하기 화학식 2로 표시되는 치환기; 하기 화학식 3으로 표시되는 치환기; 및 하기 화학식 4로 표시되는 치환기에서 선택되며,003c#화학식 2003e#003c#화학식 3003e#003c#화학식 4003e#화학식 2 내지 4에서,3) Y는 O 또는 N-Ar6이고,4) Ar3 내지 Ar6은 각각 C6~C60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의` 융합고리기에서 선택되며,5) R19 내지 R26은 각각 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C6~C60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C60의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕시기; 및 C6~C30의 아릴옥시기에서 선택되며, 상기 R19 내지 R26은 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,6) 상기 Ar1 및 Ar2 중 하나 이상은 상기 화학식 2 내지 화학식 4 중 어느 하나로 표시되며,7) 상기 R1 내지 R26 및 Ar1 내지 Ar6에 있어서, 상기 지방족 탄화수소기, 아릴기, 헤테로고리기, 융합고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕시기, 아릴옥시기, 각각 중수소; 니트로기; 니트릴기; 할로겐기; 아미노기; C1~C20의 알킬기 또는 C6~C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; C1~C20의 알킬싸이오기; C1~C20의 알콕시기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C6~C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기; C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 시클로알킬기; C7~C20의 아릴알킬기 및 C8~C20의 아릴알켄일기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있고, 또한 이들 치환기들은 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있다
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제 4항에 있어서,상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광보조층, 발광층, 전자수송보조층, 전자수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나의 층을 포함하며, 상기 정공주입층, 정공수송층, 발광보조층, 발광층, 전자수송보조층, 전자수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나의 층은 제 1항 내지 제 3항의 화합물들 중 하나 이상을 포함하는 유기전기소자
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