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신규한 4족 전이금속 화합물 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2020008351
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 신규한 4족 전이금속 화합물 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL C07F 7/00 (2006.01.01) C23C 16/34 (2006.01.01) C23C 16/40 (2006.01.01)
CPC C07F 7/003(2013.01) C07F 7/003(2013.01) C07F 7/003(2013.01)
출원번호/일자 1020180166183 (2018.12.20)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0077046 (2020.06.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.09.16)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박보근 대전광역시 유성구
2 정택모 대전광역시 유성구
3 김건환 대전광역시 유성구
4 이선주 대전광역시 유성구
5 이가연 대전광역시 서구
6 김창균 대전광역시 유성구
7 이영국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-1284509-68
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-0941150-60
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0119249-16
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 4족 전이금속 화합물
2 2
제 1항에 있어서,상기 M은 티타늄, 지르코늄 또는 하프늄이고;R1 내지 R5는 각각 독립적으로 C1 내지 C7의 선형 또는 분지형 알킬기이며; n은 1 내지 3의 정수인, 4족 전이금속 화합물
3 3
제 2항에 있어서,R1, R2, R4 및 R5는 각각 독립적으로 C1 내지 C7의 선형 또는 분지형 알킬기이며; R3는 C3 내지 C7의 분지형 알킬기인, 4족 전이금속 화합물
4 4
하기 화학식 2의 화합물과 하기 화학식 3의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 1의 4족 전이금속 화합물을 제조하는 방법
5 5
제 1항 내지 제 3항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 4족 전이금속 화합물을 이용하여 4족 전이금속 함유 박막을 제조하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 기획예산처 한국화학연구원 정부출연 일반사업 IoT 디바이스용 스마트 화학 소재 개발
2 산업통상자원부 한국화학연구원 소재부품기술개발사업 (RCMS)High-k/metal gate 공정용 박막내 carbon/halogen-free precursor 및 공정부품 개발