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Sb2Te3 및 Bi2Te3를 포함하고,상기 Sb2Te3 및 상기 Bi2Te3를 하기 화학식 1의 비율로 포함하는 것을 특징 p형 반도체 특성의 복합체형 열전소재
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제1항에 있어서,상기 Sb2Te3와 Bi2Te3의 평균입경이 각각 1μm 이하인 것을 특징으로 하는 복합체형 열전소재
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(1) Sb2Te3 및 Bi2Te3 원료 잉곳을 각각 합성하는 단계, (2) 단계 (1)에서 얻어진 원료 잉곳을 분쇄 및 혼합하는 단계, 및 (3) 단계 (2)에서 얻어진 혼합 분말을 열간압출하여 압출체를 제조하는 단계를 포함하고상기 Sb2Te3 및 상기 Bi2Te3를 하기 화학식 1의 비율로 포함하는 열전소재의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 단계 (2)는, 상기 Sb2Te3 및 상기 Bi2Te3 원료 잉곳을 평균입경이 1μm이하로 분쇄하는 것을 특징으로 하는 열전소재의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 단계 (3)은, 상기 혼합 분말을 압축하여 성형체를 제조하고, 상기 성형체를 400 내지 580oC의 온도, 4 내지 10MPa의 압력에서 열간압출하는 것을 특징으로 하는 열전소재의 제조방법
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제4항에 있어서,(4) 상기 압출체를 분쇄하여 분말을 제조하는 단계, 및 (5) 상기 단계 (4)에서 얻어진 분말을 열간압출하여 압출체를 제조하는 단계를 포함하는 열전소재의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 단계 (4) 및 상기 단계 (5)는 1회 또는 2회 이상 반복 수행되는 것을 특징으로 하는 열전소재의 제조방법
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