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그라파이트 모재;상기 그라파이트 모재의 상단부 기공 내에 형성되는 SiC 코팅층; 및상기 SiC 코팅층 상에 형성되는 SiOC/C 코팅층;을 포함하고,상기 SiC 코팅층은 상기 그라파이트 모재의 상단부 기공에 기체 상태의 실리콘을 침투시키고, 상기 실리콘이 탄소와 반응하여 SiC를 형성하면서 상기 기공을 채움으로써 형성되며,상기 SiOC/C 코팅층의 SiOxCy에서 탄소(C)의 함량(y)은 실리콘(Si) 함량 대비 1
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제1항에 있어서, 상기 SiOC/C 코팅층의 SiOxCy에서 탄소(C)의 함량(y)은 실리콘(Si) 함량 대비 1
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제1항에 있어서, 상기 SiC 코팅층은 VDR법에 의해서 상기 그라파이트 모재의 기공에서 실리콘과 카본이 발열 활성 반응을 일으켜 SiC가 형성되어 코팅층이 형성되는 것을 특징으로 하는, SiC 및 SiOC/C 코팅층이 형성된 그라파이트 몰드
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제1항에 있어서, 상기 SiOC/C 코팅층은 증착, 습식 또는 건식 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는, SiC 및 SiOC/C 코팅층이 형성된 그라파이트 몰드
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제4항에 있어서, 상기 SiOC/C 코팅층이 습식 공정을 이용하여 형성되는 경우 카보실란계 또는 실록산계 고분자 용액을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는, SiC 및 SiOC/C 코팅층이 형성된 그라파이트 몰드
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제5항에 있어서, 상기 카보실란계 고분자는 폴리카보실란, 폴리페닐카보실란, 폴리비닐카보실란 및 폴리메틸실란으로 구성된 군으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는, SiC 및 SiOC/C 코팅층이 형성된 그라파이트 몰드
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제5항에 있어서, 상기 실록산계 고분자는 폴리페닐실록산 및 폴리다이메틸실록산으로 구성된 군으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는, SiC 및 SiOC/C 코팅층이 형성된 그라파이트 몰드
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제1항에 있어서, 상기 그라파이트 모재의 상단부 기공 내에 형성되는 SiC 층은 두께 1
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제1항에 있어서, 상기 SiC 층 상에 형성되는 SiOC/C 코팅층은 두께 0
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