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벽 두께가 5 내지 300 nm이고 외경이 5 내지 100 μm인 SiC 나노튜브
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제 1 항에 있어서, 섬유상 탄소 상에 액상 전구체를 코팅하여 제조되는 SiC 나노튜브
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제 2 항에 있어서, 섬유상 탄소가 탄소 섬유, 탄소섬유 매트, 흑연화 섬유, 탄소 단사 또는 흑연화 펠트인 SiC 나노튜브
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제 2 항에 있어서, 액상 전구체가 실란화합물 및 실리카로부터 선택된 하나 이상인 SiC 나노튜브
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제 2 항에 있어서, 액상 전구체가 코팅된 섬유상 탄소를 건조 후, 열처리하여 섬유상 탄소를 제거하여 제조된 SiC 나노튜브
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실란화합물 및 실리카로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 액상 전구체를 준비하는 단계;섬유상 탄소를 제공하는 단계;섬유상 탄소를 액상 전구체로 함침하여 코팅하는 단계;액상 전구체가 코팅된 섬유상 탄소를 건조 및 반응시키는 단계; 및 열처리하여 섬유상 탄소를 제거하는 단계;를 포함하는 SiC 나노튜브 제조방법
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제 6 항에 있어서, 섬유상 탄소가 탄소 섬유, 탄소섬유 매트, 흑연화 섬유, 탄소 단사 또는 흑연화 펠트인 SiC 나노튜브 제조방법
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제 6 항에 있어서, 액상 전구체가 실란화합물 및 실리카로부터 선택된 하나 이상이 10 내지 35 중량% 및 유기 용제 90 내지 65 중량%를 포함하는 SiC 나노튜브 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 액상 전구체가 섬유상 탄소상에 5 내지 300 nm로 코팅되는 SiC 나노튜브 제조방법
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10
제 6 항에 있어서, 액상 전구체가 코팅된 섬유상 탄소를 건조 및 반응시키는 단계가 불활성 기체 분위기에서 1400℃ 내지 1800℃로 처리하는 SiC 나노튜브 제조방법
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11
제 6 항에 있어서, 열처리하여 섬유상 탄소를 제거하는 단계가 500℃ 내지 900℃에서 10시간 내지 14시간 처리하는 SiC 나노튜브 제조방법
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