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(a) 스퍼터링 공정을 이용하여, 기판 상에 전이금속 칼코겐화합물 2종 이상을 증착하는 단계; 및(b) 상기 기판 상에 증착된 전이금속 칼코겐화합물에 전자빔을 조사하여 결정화하는 단계;를 포함하고,상기 (a) 단계는 전이금속 칼코겐화합물 2종 이상을 순차적으로 증착하거나, 전이금속 칼코겐화합물 2종 이상을 동시에 증착하는 전이금속 칼코겐화합물 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐화합물에 포함되는 전이금속은 Mo, W, Sn, Zr, Ni, Ga, In, Bi, Hf, Re, Ta 및 Ti 중에서 선택되고,상기 전이금속 칼코겐화합물에 포함되는 칼코겐 원소는 S, Se 및 Te 중에서 선택되는 전이금속 칼코겐화합물 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 스퍼터링 공정 및 전자빔 조사는 600℃ 이하의 온도에서 수행되는 전이금속 칼코겐화합물 박막의 제조 방법
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(a) 기판 상에 절연막을 형성하고, 상기 절연막 상에 섀도 마스크를 배치하는 단계;(b) 상기 섀도 마스크가 배치된 기판 상에, 스퍼터링 공정으로 전이금속 칼코겐화합물 2종 이상을 증착하여 박막을 형성하는 단계;(c) 상기 섀도 마스크를 제거하고, 상기 박막이 형성된 기판 상에 전자빔을 조사하여 상기 박막을 결정화하는 단계; 및(d) 상기 박막 상에 제1전극 및 제2전극이 서로 이격 배치하는 단계;를 포함하고,상기 (b) 단계는 전이금속 칼코겐화합물 2종 이상을 순차적으로 증착하거나, 전이금속 칼코겐화합물 2종 이상을 동시에 증착하는 전자소자의 제조 방법
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(a) 기판 상에 절연막을 형성하고, 상기 절연막 상에 제1섀도 마스크를 배치하는 단계;(b) 상기 제1섀도 마스크가 배치된 기판 상에, 스퍼터링 공정으로 전이금속 칼코겐화합물 2종 이상을 증착하여 제1박막을 형성하는 단계;(c) 상기 제1섀도 마스크를 제거하고, 상기 제1박막이 형성된 기판 상에 전자빔을 조사하여 상기 제1박막을 결정화하는 단계;(d) 상기 결정화된 제1박막 상에 제2섀도 마스크를 배치하고, 스퍼터링 공정으로 전이금속 칼코겐화합물 2종 이상을 증착하여 제2박막을 형성하는 단계;(e) 상기 제2섀도 마스크를 제거하고, 상기 제2박막이 형성된 기판 상에 전자빔을 조사하여 상기 제2박막을 결정화하는 단계; 및(f) 상기 제1박막 및 제2박막 상에 제1전극 및 제2전극을 이격 배치하는 단계;를 포함하고,상기 (b) 단계 및 (d) 단계 각각은 전이금속 칼코겐화합물 2종 이상을 순차적으로 증착하거나, 전이금속 칼코겐화합물 2종 이상을 동시에 증착하는 전자소자의 제조 방법
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(a) 기판 상에 절연막을 형성하고, 상기 절연막 상에 제1섀도 마스크를 배치하는 단계;(b) 상기 제1섀도 마스크가 배치된 기판 상에, 스퍼터링 공정으로 전이금속 칼코겐화합물 2종 이상을 증착하여 제1박막을 형성하는 단계;(c) 상기 제1섀도 마스크를 제거하고, 상기 제1박막이 형성된 기판 상에 제2섀도 마스크를 배치한 후, 스퍼터링 공정으로 전이금속 칼코겐화합물 2종 이상을 증착하여 제2박막을 형성하는 단계;(d) 상기 제2섀도 마스크를 제거하고, 상기 기판 상에 전자빔을 조사하여 상기 제1박막과 제2박막을 결정화하는 단계; 및(e) 상기 제1박막 및 제2박막 상에 제1전극 및 제2전극을 이격 배치하는 단계;를 포함하고,상기 (b) 단계 및 (c) 단계 각각은 전이금속 칼코겐화합물 2종 이상을 순차적으로 증착하거나, 전이금속 칼코겐화합물 2종 이상을 동시에 증착하는 전자소자의 제조 방법
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(a) 기판 상에 절연막을 형성하고, 상기 절연막 상에 제1섀도 마스크를 배치하는 단계;(b) 상기 제1섀도 마스크가 배치된 기판 상에, 스퍼터링 공정으로 전이금속 칼코겐화합물 2종 이상을 증착하여 제1박막을 형성하는 단계;(c) 상기 제1섀도 마스크를 제거하고, 상기 제1박막이 형성된 기판 상에 전자빔을 조사하여 상기 제1박막을 결정화하는 단계;(d) 상기 결정화된 제1박막 상에 비정질의 제2박막을 접합하는 단계; 및(e) 상기 제1박막 및 제2박막 상에 제1전극 및 제2전극을 이격 배치하는 단계;를 포함하고,상기 (b) 단계는 전이금속 칼코겐화합물 2종 이상을 순차적으로 증착하거나, 전이금속 칼코겐화합물 2종 이상을 동시에 증착하는 전자소자의 제조 방법
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제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐화합물에 포함되는 전이금속은 Mo, W, Sn, Zr, Ni, Ga, In, Bi, Hf, Re, Ta 및 Ti 중에서 선택되고,상기 전이금속 칼코겐화합물에 포함되는 칼코겐 원소는 S, Se 및 Te 중에서 선택되는 전자소자의 제조 방법
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제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 스퍼터링 공정 및 전자빔 조사는 600℃ 이하의 온도에서 수행되는 전자소자의 제조 방법
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제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 스퍼터링 공정은 RF 파워 5~20W, 공정 압력 1~20mTorr 에서 수행되고,상기 전자빔 조사는 RF 파워 50~1,000W, DC 파워 50~5,000V 에서 수행되는 전자소자의 제조 방법
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제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1전극 및 제2전극은 금(Au), 은(Ag), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 몰리브데늄(Mo), 텅스텐(W), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 중 1종 이상의 금속, 또는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 중 1종 이상의 금속 산화물을 포함하는 전자소자의 제조 방법
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제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전자소자는 가스센서, 압전기, 포토디텍터 또는 트랜지스터 중 선택되는 전자소자의 제조 방법
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