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Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3가 의도적으로 미 첨가되는 ZnO계 바리스터 조성물로서, ZnO : 85
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제1항에 있어서,상기 ZnO는 97 ~ 98
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제1항에 있어서,상기 Mn 산화물은 MnO, MnO2, Mn2O3 및 Mn3O4 중 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물
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제1항에 있어서,상기 Co 산화물은 CoO, Co2O3 및 Co3O4 중 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물
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5
제1항에 있어서,상기 ZnO계 바리스터 조성물은 Ca 산화물, Ni 산화물, Sb 산화물, Cr 산화물 및 Si 산화물 중 선택된 1종 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물
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제1항에 있어서,상기 ZnO계 바리스터 조성물은 CaCO3 : 0
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7
ZnO계 바리스터 조성물을 디스크 또는 벌크로 성형하는 단계; 상기 디스크 또는 벌크의 대향하는 양면에 금속전극을 부착하는 단계; 및 상기 금속전극이 부착된 상기 디스크 또는 벌크를 소성하여 바리스터를 제조하는 단계;를 포함하며, 상기 ZnO계 바리스터 조성물은 Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3가 의도적으로 미 첨가되며, ZnO : 85
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8
제7항에 있어서,상기 소성은 900 ~ 1,100℃ 조건에서 0
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9
ZnO계 바리스터 조성물을 복수의 후막 시트로 형성하는 단계; 상기 복수의 후막 시트 각각의 표면에 금속전극을 부착한 후, 상기 금속전극이 부착된 복수의 후막 시트를 적층하여 하나의 벌크를 형성하는 단계; 및 상기 벌크를 소성하여 적층형 바리스터를 제조하는 단계;를 포함하며, 상기 ZnO계 바리스터 조성물은 Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3가 의도적으로 미 첨가되며, ZnO : 85
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10
제9항에 있어서,상기 소성은 900 ~ 1,100℃ 조건에서 0
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11
제7항 또는 제9항에 있어서,상기 금속전극은 Ag 재질을 이용하는 것을 특징으로 하는 바리스터 제조 방법
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12
ZnO계 바리스터 조성물로 이루어진 디스크형 또는 벌크형의 소결체; 및 상기 소결체의 대향하는 양면에 형성되어 전기신호의 입출력을 기능하는 금속전극;을 포함하며, 상기 ZnO계 바리스터 조성물은 Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3가 의도적으로 미 첨가되며, ZnO : 85
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13
복수로 적층되어 하나의 벌크를 구성하며, ZnO계 바리스터 조성물로 이루어진 소결체; 상기 소결체 각각의 양면에 부착되고, 상기 벌크의 내부에 상하로 서로 이격되도록 순차적으로 매설된 복수의 금속전극; 및 상기 벌크의 양 측면에 부착되고 상기 복수의 금속전극에 각각 전기적으로 연결되어 전기신호의 입출력을 기능을 수행하는 외부전극단자;를 포함하며, 상기 ZnO계 바리스터 조성물은 Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3가 의도적으로 미 첨가되며, ZnO : 85
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