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비산화물 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 본드 코팅층을 형성하는 단계;상기 본드 코팅층 상에 이트륨 실리케이트 또는 희토류 실리케이트로 이루어진 탑 코팅층을 형성하는 단계; 및상기 탑 코팅층을 치밀화하는 단계를 포함하는,비산화물 기판에 치밀화된 탑 코팅을 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 비산화물 기판은 실리콘계 비산화물 기판인,비산화물 기판에 치밀화된 탑 코팅을 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 본드 코팅층은 실리콘계 물질로 이루어진,비산화물 기판에 치밀화된 탑 코팅을 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 본드 코팅층 상에 이트륨 실리케이트 또는 희토류 실리케이트로 이루어진 탑 코팅층을 형성하는 단계는,하소된 이트륨 실리케이트 또는 하소된 란타넘족 희토류 실리케이트 원료 분말이 분산된 현탁액을 준비하는 단계;서스펜션 플라즈마 스프레이(SPS: Suspension Plasma Spray) 방법을 이용해 상기 현탁액을 모재에 분사하여 코팅하는 단계; 및상기 코팅된 코팅막을 열처리하는 단계를 포함하는,비산화물 기판에 치밀화된 탑 코팅을 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 희토류 실리케이트는 란타넘족 희토류 실리케이트인,비산화물 기판에 치밀화된 탑 코팅을 형성하는 방법
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제 5 항에 있어서,상기 란타넘족 희토류 원소는 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 인,비산화물 기판에 치밀화된 탑 코팅을 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 탑 코팅층을 치밀화하는 단계는,치밀화를 위한 코팅액을 제조하는 단계;상기 코팅액에 상기 탑 코팅층이 형성된 기판을 담그는 단계; 및상기 기판을 건조시킨 후 열처리하는 단계를 포함하는,비산화물 기판에 치밀화된 탑 코팅을 형성하는 방법
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제 7 항에 있어서,상기 치밀화를 위한 코팅액은 희토류계 산화물, Al2O3, SiO2, ZrO2 중 어느 하나 이상을 액상화시킨 것을 포함하는,비산화물 기판에 치밀화된 탑 코팅을 형성하는 방법
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제 7 항에 있어서,상기 치밀화를 위한 코팅액은 상기 기판의 사용 온도에 따라 제어되는,비산화물 기판에 치밀화된 탑 코팅을 형성하는 방법
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실리콘계 비산화물 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 실리콘계 본드 코팅층을 형성하는 단계;상기 본드 코팅층 상에 이트륨 실리케이트 또는 희토류 실리케이트로 이루어진 탑 코팅층을 형성하는 단계; 및상기 탑 코팅층을 치밀화하는 단계를 포함하고,상기 탑 코팅층을 치밀화하는 단계는, 치밀화를 위한 코팅액을 제조하는 단계;상기 코팅액에 상기 탑 코팅층이 형성된 기판을 담그는 단계; 및상기 기판을 건조시킨 후 열처리하는 단계를 포함하는,비산화물 기판에 치밀화된 탑 코팅을 형성하는 방법
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제 10 항에 있어서,상기 치밀화를 위한 코팅액은 희토류계 산화물, Al2O3, SiO2, ZrO2 중 어느 하나 이상을 액상화시킨 것을 포함하는,비산화물 기판에 치밀화된 탑 코팅을 형성하는 방법
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12
제 10 항에 있어서,상기 치밀화를 위한 코팅액은 상기 기판의 사용 온도에 따라 제어되는,비산화물 기판에 치밀화된 탑 코팅을 형성하는 방법
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제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조되며,고온에서 내화학성을 나타내는,치밀화된 탑 코팅을 포함한 비산화물 기판
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제 13 항에 있어서,상기 비산화물 기판은 화학 플랜트, 항공기 엔진, 원자력 발전소, 우주 항공 재료로 이용 가능한,치밀화된 탑 코팅을 포함한 비산화물 기판
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