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실란커플링제로 표면개질된 무기산화물 입자;광경화성 모노머; 및상기 광경화성 모노머 100중량부에 대하여 광중합반응 개시제 0
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제1항에 있어서, 상기 무기산화물 입자는 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3) 및 지르코니아(ZrO2)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 광경화 3D 프린팅용 무기산화물-모노머 복합 조성물
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제1항에 있어서, 상기 무기산화물 입자는 10㎚∼10㎛의 입경을 갖는 입자인 것을 특징으로 하는 광경화 3D 프린팅용 무기산화물-모노머 복합 조성물
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제1항에 있어서, 상기 실란커플링제는 비닐트리에톡시실란(vinyl triethoxysilane), 비닐트리메톡시실란(vinyl trimethoxysilane), 비닐트리클로로실란(vinyl trichlorosilane), 비닐트리스(베타-메톡시에톡시)실란(vinyl tris(β-methoxyethoxy)silane), 감마-메타크릴옥시프로필디메톡시실란(γ-methacryloxypropyldimethoxysilane), 베타-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란(β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane), 감마-글리시드옥시프로필트리메톡시실란(γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane), 감마-글리시드옥시프로필메틸디에톡시실란(γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane), 감마-아미노프로필트리에톡시실란(γ-aminopropyltriethoxysilane), 감마-아미노프로필트리메톡시실란(γ-aminopropyltrimethoxysilane), 감마-페닐아미노프로필트리메톡시실란(γ-phenylaminopropyltrimethoxysilane), 감마-메캅토프로필트리메톡시실란(γ-mercaptopropyltrimethoxysilane), 감마-이소시아네이트프로필트리에톡시실란(γ-isocyanatepropyltriethoxysilane) 및 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란(3-methacryloxypropyltrimethoxysilane)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광경화 3D 프린팅용 무기산화물-모노머 복합 조성물
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제1항에 있어서, 상기 광경화성 모노머는 트리메티롤프로판 트리아크릴레이트(Trimethylolpropane triacrylate), 헥산디올 디아크릴레이트(Hexanediol diacrylate), 2-하이드록시에틸 메타크릴레이트(2-hydroxyethyl methacrylate), 트리프로필렌글리콜 디아크릴레이트(Tripropyleneglycol diacrylate), 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트(Pentaerythritol triacrylate), 트리에티렌글리콜 디메타크릴레이트(Triethyleneglycol dimethacrylate) 및 디우레탄 디메타크릴레이트(Diurethane dimethacrylate)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광경화 3D 프린팅용 무기산화물-모노머 복합 조성물
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제1항에 있어서, 상기 무기산화물 입자 100중량부에 대하여 소듐알루미네이트(Sodium aluminate) 0
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제1항에 있어서, 상기 무기산화물 입자 100중량부에 대하여 포름산(formic acid), 아세트산(acetic acid), 프로피온산(propionic acid), 부틸산(n-butyric acid), 이소부티르산(isobutyric acid), 발레르산(valeric acid), 이소발레르산(isovaleric acid), 피발산(pivalic acid), 카프로산(caproic acid), 이소카프로산(isocapric acid), 에난트산(enanthic acid), 카프릴산(caprylic acid), 펠라곤산(pelargonic acid), 카프릭산(capric acid), 운데실산(undecylic acid), 라우르산(lauric acid), 트리데실산(tridecylic acid), 미리스트산(myristic acid), 펜타데실산(pentadecylic acid), 팔미트산(palmitic acid), 마르가르산(margaric acid), 스테아르산(stearic acid) 및 노나데실산(nonadecyric acid)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질 0
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(a) 용매에 무기산화물 입자를 첨가하여 무기산화물 졸을 형성하는 단계;(b) 상기 무기산화물 졸에 실란커플링제를 혼합하여 상기 무기산화물 입자를 표면개질하는 단계;(c) 표면개질된 무기산화물 입자를 포함하는 무기산화물 졸에 광경화성 모노머를 혼합하는 단계;(d) 증발기를 이용하여 상기 광경화성 모노머가 혼합된 결과물에 함유된 용매를 휘발시키는 단계; 및(e) 상기 용매가 휘발된 결과물에 상기 광경화성 모노머 100중량부에 대하여 광중합반응 개시제 0
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제8항에 있어서, 상기 무기산화물 입자는 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3) 및 지르코니아(ZrO2)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 광경화 3D 프린팅용 무기산화물-모노머 복합 조성물의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 무기산화물 입자는 10㎚∼10㎛의 입경을 갖는 입자인 것을 특징으로 하는 광경화 3D 프린팅용 무기산화물-모노머 복합 조성물의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 실란커플링제는 비닐트리에톡시실란(vinyl triethoxysilane), 비닐트리메톡시실란(vinyl trimethoxysilane), 비닐트리클로로실란(vinyl trichlorosilane), 비닐트리스(베타-메톡시에톡시)실란(vinyl tris(β-methoxyethoxy)silane), 감마-메타크릴옥시프로필디메톡시실란(γ-methacryloxypropyldimethoxysilane), 베타-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란(β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane), 감마-글리시드옥시프로필트리메톡시실란(γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane), 감마-글리시드옥시프로필메틸디에톡시실란(γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane), 감마-아미노프로필트리에톡시실란(γ-aminopropyltriethoxysilane), 감마-아미노프로필트리메톡시실란(γ-aminopropyltrimethoxysilane), 감마-페닐아미노프로필트리메톡시실란(γ-phenylaminopropyltrimethoxysilane), 감마-메캅토프로필트리메톡시실란(γ-mercaptopropyltrimethoxysilane), 감마-이소시아네이트프로필트리에톡시실란(γ-isocyanatepropyltriethoxysilane) 및 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란(3-methacryloxypropyltrimethoxysilane)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광경화 3D 프린팅용 무기산화물-모노머 복합 조성물의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 광경화성 모노머는 트리메티롤프로판 트리아크릴레이트(Trimethylolpropane triacrylate), 헥산디올 디아크릴레이트(Hexanediol diacrylate), 2-하이드록시에틸 메타크릴레이트(2-hydroxyethyl methacrylate), 트리프로필렌글리콜 디아크릴레이트(Tripropyleneglycol diacrylate), 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트(Pentaerythritol triacrylate), 트리에티렌글리콜 디메타크릴레이트(Triethyleneglycol dimethacrylate) 및 디우레탄 디메타크릴레이트(Diurethane dimethacrylate)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광경화 3D 프린팅용 무기산화물-모노머 복합 조성물의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 무기산화물 입자 100중량부에 대하여 소듐알루미네이트(Sodium aluminate) 0
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제9항에 있어서, 상기 (c) 단계에서 상기 무기산화물 입자 100중량부에 대하여 포름산(formic acid), 아세트산(acetic acid), 프로피온산(propionic acid), 부틸산(n-butyric acid), 이소부티르산(isobutyric acid), 발레르산(valeric acid), 이소발레르산(isovaleric acid), 피발산(pivalic acid), 카프로산(caproic acid), 이소카프로산(isocapric acid), 에난트산(enanthic acid), 카프릴산(caprylic acid), 펠라곤산(pelargonic acid), 카프릭산(capric acid), 운데실산(undecylic acid), 라우르산(lauric acid), 트리데실산(tridecylic acid), 미리스트산(myristic acid), 펜타데실산(pentadecylic acid), 팔미트산(palmitic acid), 마르가르산(margaric acid), 스테아르산(stearic acid) 및 노나데실산(nonadecyric acid)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질 0
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