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(a) 스퍼터링 공정을 이용하여, 기판 상에 제1투명 산화물을 증착하는 단계; 및(b) 상기 제1투명 산화물이 증착된 기판에 전자빔을 조사하여 활성화된 제2투명 산화물을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 (a) 단계 내지 (b) 단계는 2회 이상 순차적으로 반복하여 수행되는 투명 산화물 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 투명 산화물은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGZTO (Indium Gallium Zinc Tin Oxide), IZTO(Indium-zinc-tin-oxide), ZnO(Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), FTO(Fluorine-doped tin oxide (SnO2:F)), 및 AZO(Aluminum-doped zinc-oxide) 중 1종 이상을 포함하는 투명 산화물 박막의 제조 방법
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(a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극 상에 절연막을 형성하는 단계;(b) 상기 절연막이 형성된 기판 상에 채널부와 동일한 형상의 개구부를 포함하는 섀도 마스크를 배치하는 단계;(c) 상기 섀도 마스크가 배치된 기판 상에 투명 산화물을 포함하는 채널부를 형성하는 단계; 및(d) 상기 섀도 마스크를 제거하고, 채널부 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 (c) 단계는(c1) 스퍼터링 공정을 이용하여, 기판 상에 제1투명 산화물을 증착하는 단계; 및(c2) 상기 제1투명 산화물이 증착된 기판에 전자빔을 조사하여 활성화된 제2투명 산화물을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 (c1) 단계 내지 (c2) 단계는 2회 이상 순차적으로 반복하여 수행되는 트랜지스터의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 스퍼터링 공정은 RF 파워 10~1,000W, 공정 압력 1~10mTorr 및 비활성 가스 및 산화 가스 총 100부피%에 대하여, 산화 가스 30부피% 이하에서 수행되는 트랜지스터의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 전자빔 조사는 RF 파워 50~1,000W, DC 파워 50~5,000V 및 비활성 가스 및 산화 가스 총 100부피%에 대하여, 산화 가스 30부피% 이하에서 수행되는 트랜지스터의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 스퍼터링 공정 및 전자빔 조사는 300℃ 이하의 온도에서 수행되는 트랜지스터의 제조 방법
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