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(I) 실리콘 분말, 카본 블랙 분말 및 바나듐 금속분말을 혼합한 후, 1,350~1,800℃에서 열처리하는 단계;(II) 상기 열처리 후, 500~600℃에서 1~4시간 산화시켜 여분의 바나듐 화합물을 옥사이드 형태로 전환한 후 염산으로 세척하여 제거하는 단계; 및(III) 상기 염산처리 과정 후, 600~1,000℃에서 탈탄 공정을 수행하는 단계;를 포함하는 바나듐 도핑된 탄화규소 분말의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (I) 단계 이전에 실리콘 분말을 탄화규소 볼을 이용하여 습식 분쇄하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 바나듐 도핑된 탄화규소 분말의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (I) 단계의 열처리는 헬륨, 네온, 아르곤 가스 또는 진공 분위기에서 1~20℃/min의 승온속도로 1,350~1,800℃까지 승온시키고 2~3시간 등온상태를 유지함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 바나듐 도핑된 탄화규소 분말의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (III) 단계의 탈탄 공정은 대기 분위기 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 바나듐 도핑된 탄화규소 분말의 제조방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 제조방법에 따라 제조된 바나듐 도핑된 탄화규소 분말
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제5항에 있어서, 상기 바나듐 도핑된 탄화규소 분말은 바나듐이 탄화규소 격자 내에 균일하게 분포되어 있고, 여분의 바나듐 화합물을 함유하지 않으며, 순도 99
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제6항에 따른 바나듐 도핑된 탄화규소 분말을 출발물질로 사용하여 제조되는 탄화규소 단결정
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