1 |
1
바나듐 도핑된 탄화규소 분말에 있어서,상기 분말은 바나듐이 탄화규소 격자 내에 균일하게 분포되어 있고, 여분의 바나듐 화합물을 함유하지 않으며, 순도 99
|
2 |
2
제1항에 따른 바나듐 도핑된 탄화규소 분말을 출발물질로 사용하여 제조되는 탄화규소 단결정
|
3 |
3
(I) 실리콘 분말, 카본 블랙 분말 및 바나듐 금속분말을 혼합한 후, 1,350~1,800℃에서 1차 열처리하는 단계;(II) 상기 1차 열처리 후, 2,000~2,200℃에서 2차 열처리하는 단계; 및(III) 상기 2차 열처리 후, 600~1,000℃에서 탈탄 공정을 수행하는 단계;를 포함하는 바나듐 도핑된 탄화규소 분말의 제조방법
|
4 |
4
제3항에 있어서, 상기 (I) 단계 이전에 실리콘 분말을 탄화규소 볼을 이용하여 습식 분쇄하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 바나듐 도핑된 탄화규소 분말의 제조방법
|
5 |
5
제3항에 있어서, 상기 (I) 단계의 1차 열처리는 헬륨, 네온, 아르곤 가스 또는 진공 분위기에서 1~20℃/min의 승온속도로 1,350~1,800℃까지 승온시키고 2~3시간 등온상태를 유지함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 바나듐 도핑된 탄화규소 분말의 제조방법
|
6 |
6
제3항에 있어서, 상기 (II) 단계의 2차 열처리는 헬륨, 네온, 아르곤 가스 또는 진공 분위기에서 1~20℃/min의 승온속도로 2,000~2,200℃까지 승온시키고 1~14시간 등온상태를 유지함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 바나듐 도핑된 탄화규소 분말의 제조방법
|
7 |
7
제3항에 있어서, 상기 (III) 단계의 탈탄 공정은 대기 분위기 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 바나듐 도핑된 탄화규소 분말의 제조방법
|