요약 | 본 발명은 갈륨(Ga) 수용액을 초음파 진동을 이용하여 미스트(mist)를 생성하고, 생성된 미스트를 석영관 내측으로 공급할 때 유입구에 연결되는 가이드튜브를 통해 미스트를 기판의 중앙부로 집중되게 안내함으로써 기판에 갈륨 옥사이드(Ga2O3)를 균일하게 성장시킬 수 있도록 한 갈륨옥사이드 박막 성장용 미스트 화학기상증착(Mist-CVD) 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 갈륨옥사이드 박막 성장용 미스트 화학기상증착(Mist-CVD) 장치는, 갈륨(Ga) 수용액에 초음파 진동을 가하여 미스트(mist)를 생성하는 미스트 생성 및 공급부; 상기 미스트 생성 및 공급부에서 생성된 미스트가 유입되는 유입구가 일측에 형성되고, 반대편 일측에 미스트가 배출되는 배출구가 형성되어 있는 공급관; 상기 공급관의 내측에 설치되어 미스트에 의해 α-phase 갈륨 옥사이드(α-Ga2O3) 박막이 증착되는 기판; 및, 상기 공급관의 유입구에 연결되며, 상기 유입구에서 기판 쪽으로 연장되어 기판으로 미스트를 유도하는 가이드튜브;를 포함할 수 있다. |
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Int. CL | C23C 16/448 (2006.01.01) C23C 16/40 (2006.01.01) C23C 16/455 (2006.01.01) C30B 29/16 (2006.01.01) C23C 16/458 (2006.01.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020190100452 (2019.08.16) |
출원인 | 한국세라믹기술원 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2020-0079167 (2020.07.02) 문서열기 |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 |
대한민국 | 1020180168605 | 2018.12.24
대한민국 | 1020180168615 | 2018.12.24 |
법적상태 | 공개 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2019.08.16) |
심사청구항수 | 4 |