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갈륨옥사이드 박막 성장용 미스트 화학기상증착(Mist-CVD) 장치

  • 기술번호 : KST2020008635
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 갈륨(Ga) 수용액을 초음파 진동을 이용하여 미스트(mist)를 생성하고, 생성된 미스트를 석영관 내측으로 공급할 때 유입구에 연결되는 가이드튜브를 통해 미스트를 기판의 중앙부로 집중되게 안내함으로써 기판에 갈륨 옥사이드(Ga2O3)를 균일하게 성장시킬 수 있도록 한 갈륨옥사이드 박막 성장용 미스트 화학기상증착(Mist-CVD) 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 갈륨옥사이드 박막 성장용 미스트 화학기상증착(Mist-CVD) 장치는, 갈륨(Ga) 수용액에 초음파 진동을 가하여 미스트(mist)를 생성하는 미스트 생성 및 공급부; 상기 미스트 생성 및 공급부에서 생성된 미스트가 유입되는 유입구가 일측에 형성되고, 반대편 일측에 미스트가 배출되는 배출구가 형성되어 있는 공급관; 상기 공급관의 내측에 설치되어 미스트에 의해 α-phase 갈륨 옥사이드(α-Ga2O3) 박막이 증착되는 기판; 및, 상기 공급관의 유입구에 연결되며, 상기 유입구에서 기판 쪽으로 연장되어 기판으로 미스트를 유도하는 가이드튜브;를 포함할 수 있다.
Int. CL C23C 16/448 (2006.01.01) C23C 16/40 (2006.01.01) C23C 16/455 (2006.01.01) C30B 29/16 (2006.01.01) C23C 16/458 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190100452 (2019.08.16)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0079167 (2020.07.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020180168605   |   2018.12.24
대한민국  |   1020180168615   |   2018.12.24
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.08.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배시영 경상남도 진주시
2 정성민 경기도 수원시 장안구
3 이명현 경상남도 진주시 소호로 **,
4 권용진 경상남도 진주시 가호로 **,
5 김경호 인천광역시 남동구
6 하민탄 경상남도 진주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정기택 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)
2 박진기 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)
3 오위환 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)
4 나성곤 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-0841812-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
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갈륨(Ga) 수용액에 초음파 진동을 가하여 미스트(mist)를 생성하는 미스트 생성 및 공급부;상기 미스트 생성 및 공급부에서 생성된 미스트가 유입되는 유입구가 일측에 형성되고, 반대편 일측에 미스트가 배출되는 배출구가 형성되어 있는 공급관;상기 공급관의 내측에 설치되어 미스트에 의해 α-phase 갈륨 옥사이드(α-Ga2O3) 박막이 증착되는 기판; 및,상기 공급관의 유입구에 연결되며, 상기 유입구에서 기판 쪽으로 연장되어 기판으로 미스트를 유도하는 가이드튜브;를 포함하는 갈륨옥사이드 박막 성장용 미스트 화학기상증착(Mist-CVD) 장치
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제1항에 있어서, 상기 가이드튜브는 공급관의 길이 방향을 따라 일자형으로 연장된 원통관 형태를 갖는 갈륨옥사이드 박막 성장용 미스트 화학기상증착(Mist-CVD) 장치
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제1항에 있어서, 상기 가이드튜브는 출구부가 위치한 끝단부가 지면(地面)에 대해 수평한 축에 대해 일측으로 일정한 각도로 절곡되게 형성된 갈륨옥사이드 박막 성장용 미스트 화학기상증착(Mist-CVD) 장치
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제3항에 있어서, 상기 가이드튜브는 끝단부가 지면(地面)에 대해 수평한 축에 대해 하측으로 45°~ 90°로 절곡되게 형성된 갈륨옥사이드 박막 성장용 미스트 화학기상증착(Mist-CVD) 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국산업통상자원부 한국세라믹기술원 KICET 기본연구 비극성 사파이어 위에 성장되는 산화갈륨 에피 기술 개발