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(a) 기판 상에 섀도 마스크를 배치하는 단계;(b) 상기 섀도 마스크가 배치된 기판 상에 스퍼터링 공정으로 전이금속 칼코겐화합물을 증착하여 광 흡수층을 형성하는 단계;(c) 상기 광 흡수층 상에 금속을 증착하여 금속층을 형성하는 단계;(d) 전자빔을 조사하여 상기 광 흡수층을 결정화하고 동시에 상기 금속층을 금속 나노 입자화하는 단계; 및(e) 상기 광 흡수층의 일측에 접촉하는 제1전극 및 상기 광 흡수층의 타측에 접촉하는 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하는 포토디텍터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐화합물에 포함되는 전이금속은 Mo, W, Sn, Zr, Ni, Ga, In, Bi, Hf, Re, Ta 및 Ti 중에서 선택되고,상기 전이금속 칼코겐화합물에 포함되는 칼코겐 원소는 S, Se 및 Te 중에서 선택되는 포토디텍터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 금(Au), 은(Ag), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 몰리브데늄(Mo), 네오디뮴(Nd), 텅스텐(W), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 중 1종 이상을 포함하는 금속을 열 증착하는 포토디텍터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 스퍼터링 공정은 RF 파워 5~50W, 공정 압력 1~20mTorr에서 수행되고, 상기 전자빔 조사는 RF 파워 50~1,000W, DC 파워 50~5,000V 조건에서 수행되는 포토디텍터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1전극 및 제2전극은 금(Au), 은(Ag), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 몰리브데늄(Mo), 텅스텐(W), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 중 1종 이상의 금속, 또는 IGZO, IGZTO, IZTO, ZnO, IZO, ITO, ZTO, FTO, AZO, GZO 및 ZITO 중 1종 이상의 금속 산화물을 포함하는 포토디텍터의 제조방법
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기판;상기 기판 상에 배치되며, 전이금속 칼코겐화합물을 포함하는 광 흡수층 ; 상기 광 흡수층 상에 배치된 복수의 금속 나노 입자; 및 상기 광 흡수층의 일측에 접촉하는 제1전극과 상기 광 흡수층의 타측에 접촉하는 제2전극;을 포함하는 포토디텍터
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제6항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐화합물에 포함되는 전이금속은 Mo, W, Sn, Zr, Ni, Ga, In, Bi, Hf, Re, Ta 및 Ti 중에서 선택되고,상기 전이금속 칼코겐화합물에 포함되는 칼코겐 원소는 S, Se 및 Te 중에서 선택되는 포토디텍터
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제6항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 금(Au), 은(Ag), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 몰리브데늄(Mo), 네오디뮴(Nd), 텅스텐(W), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 중 1종 이상을 포함하는 포토디텍터
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제6항에 있어서,상기 제1전극 및 제2전극은 금(Au), 은(Ag), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 몰리브데늄(Mo), 텅스텐(W), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 중 1종 이상의 금속, 또는 IGZO, IGZTO, IZTO, ZnO, IZO, ITO, ZTO, FTO, AZO, GZO 및 ZITO 중 1종 이상의 금속 산화물을 포함하는 포토디텍터
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