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| 요약 |
본 발명은 미스트 화학기상증착법(Mist-CVD)으로 비극성(nonpolar) 사파이어 기판 상에 미스트를 공급하여 결정성 및 전자이동도가 향상된 α-pahse 갈륨 옥사이드(α-Ga2O3) 박막을 성장시킬 수 있는 갈륨옥사이드 박막 성장용 미스트 화학기상증착(Mist-CVD) 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 갈륨옥사이드 박막 성장용 미스트 화학기상증착(Mist-CVD) 장치는, 갈륨(Ga) 수용액에 초음파 진동을 가하여 미스트(mist)를 생성하는 미스트 생성및공급부; 상기 미스트 생성및공급부에서 생성된 미스트가 유입되는 유입구가 일측에 형성되고, 반대편 일측에 미스트가 배출되는 배출구가 형성되어 있는 공급관; 및, 상기 공급관의 내측에 설치되어 미스트에 의해 α-pahse 갈륨 옥사이드(α-Ga2O3) 박막이 증착되는 기판; 을 포함하며, 상기 기판은 사파이어의 비극성 m-면 (10-10)면 또는 a-면 (11-20) 면인 것을 특징으로 한다.
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| Int. CL |
C23C 16/448 (2006.01.01) C23C 16/458 (2006.01.01) C23C 16/40 (2006.01.01) C23C 16/455 (2006.01.01) C30B 29/16 (2006.01.01) C30B 25/18 (2006.01.01)
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| CPC |
C23C 16/4486(2013.01) C23C 16/4486(2013.01) C23C 16/4486(2013.01) C23C 16/4486(2013.01) C23C 16/4486(2013.01) C23C 16/4486(2013.01)
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| 출원번호/일자 |
1020180168627
(2018.12.24)
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| 출원인 |
한국세라믹기술원
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| 등록번호/일자 |
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| 공개번호/일자 |
10-2020-0079084
(2020.07.02)
문서열기
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| 공고번호/일자 |
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| 국제출원번호/일자 |
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| 국제공개번호/일자 |
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| 우선권정보 |
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| 법적상태 |
공개 |
| 심사진행상태 |
수리 |
| 심판사항 |
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| 구분 |
신규 |
| 원출원번호/일자 |
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| 관련 출원번호 |
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| 심사청구여부/일자 |
N
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| 심사청구항수 |
1 |
