| 1 |
1
(I) 실리콘 분말, 카본 블랙 분말 및 바나듐 금속분말을 혼합한 후, 1,350~1,800℃에서 1차 열처리하는 단계;(II) 상기 1차 열처리 후, 1,800~2,000℃에서 2차 열처리하는 단계; 및(III) 상기 2차 열처리 후, 600~1,000℃에서 탈탄 공정을 수행하는 단계;를 포함하는 바나듐 도핑된 탄화규소 분말의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 (I) 단계 이전에 실리콘 분말을 탄화규소 볼을 이용하여 습식 분쇄하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 바나듐 도핑된 탄화규소 분말의 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 (I) 단계의 1차 열처리는 헬륨, 네온, 아르곤 가스 또는 진공 분위기에서 1~20℃/min의 승온속도로 1,350~1,800℃까지 승온시키고 2~3시간 등온상태를 유지함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 바나듐 도핑된 탄화규소 분말의 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 (II) 단계의 2차 열처리는 헬륨, 네온, 아르곤 가스 또는 진공 분위기에서 1~20℃/min의 승온속도로 1,800~2,000℃까지 승온시키고 1~14시간 등온상태를 유지함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 바나듐 도핑된 탄화규소 분말의 제조방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서, 상기 (II) 단계의 2차 열처리는 3~5회의 사이클로 수행되는 것을 특징으로 하는 바나듐 도핑된 탄화규소 분말의 제조방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 사이클은 1,800~1,850℃ 및 1,950~2,000℃에서 각각 승온과 강온을 반복하면서 각각의 온도범위에서 10분~1시간 등온상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 바나듐 도핑된 탄화규소 분말의 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 (III) 단계의 탈탄 공정은 대기 분위기 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 바나듐 도핑된 탄화규소 분말의 제조방법
|
| 8 |
8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 제조방법에 따라 제조된 바나듐 도핑된 탄화규소 분말
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 바나듐 도핑된 탄화규소 분말은 바나듐이 탄화규소 격자 내에 균일하게 분포되어 있고, 여분의 바나듐 화합물을 함유하지 않으며, 순도 99
|
| 10 |
10
제9항에 따른 바나듐 도핑된 탄화규소 분말을 이용한 절연성 방열 필러
|
