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전기화학적 에칭법을 이용한 프리 스탠딩 질화갈륨 기판 제조 방법 및 이를 포함하는 물분해 수소생산용 광전극

  • 기술번호 : KST2020008643
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 식각속도가 빠르며 선택적인 에칭이 가능한 전기화학적 에칭법을 이용하여 콘벡스 형태로 휜 질화갈륨 기판의 N-면(N-face)을 에칭하여 평탄화하는 것에 의해 프리 스탠딩 질화갈륨 기판의 휨을 제어할 수 있는 전기화학적 에칭법을 이용한 프리 스탠딩 질화갈륨 기판 제조 방법 및 이를 포함하는 물분해 수소생산용 광전극에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 전기화학적 에칭법을 이용한 프리 스탠딩 질화갈륨 기판 제조 방법은 (a) 콘벡스 형태로 휜 질화갈륨 기판을 준비하는 단계; 및 (b) 상기 질화갈륨 기판의 N-면(N-face)을 전기화학적 에칭법으로 에칭하여 평탄화하는 단계;를 포함하며, 상기 (b) 단계에서, 상기 에칭은 20 ~ 40V의 인가전압 조건으로 실시하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01)
CPC H01L 21/30604(2013.01) H01L 21/30604(2013.01) H01L 21/30604(2013.01) H01L 21/30604(2013.01)
출원번호/일자 1020180168758 (2018.12.24)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0079132 (2020.07.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.12.24)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전대우 경상남도 진주시 대밭골로 **, ***
2 라용호 경상남도 진주시 사들로 **, ***동
3 김진호 경상남도 진주시 사들로 ***, ***
4 이영진 경상남도 진주시
5 황종희 경상남도 진주시
6 김선욱 경상남도 진주시 대밭골로 **, ***동
7 손호기 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-1300042-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2020.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0035227-64
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2020-0016362-68
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0302303-54
6 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2020-0661253-98
7 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-0797553-80
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2020-0907613-24
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.08.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0907614-70
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 콘벡스 형태로 휜 질화갈륨 기판을 준비하는 단계; 및 (b) 상기 질화갈륨 기판의 N-면(N-face)을 전기화학적 에칭법으로 에칭하여 평탄화하는 단계;를 포함하며, 상기 (b) 단계에서, 상기 에칭은 20 ~ 40V의 인가전압 조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 전기화학적 에칭법을 이용한 프리 스탠딩 질화갈륨 기판 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 인가전압은 25 ~ 35V 조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 전기화학적 에칭법을 이용한 프리 스탠딩 질화갈륨 기판 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서,상기 에칭은 불화수소산, 황산, 인산, 옥살산, 염산 및 수산화칼륨 중 선택된 1종 이상을 포함하는 에천트를 이용하는 것을 특징으로 하는 전기화학적 에칭법을 이용한 프리 스탠딩 질화갈륨 기판 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 에천트는 0
5 5
제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서,상기 에칭은 10 ~ 120sec 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 전기화학적 에칭법을 이용한 프리 스탠딩 질화갈륨 기판 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서,상기 에칭에 의해, 상기 질화갈륨 기판의 N-면(N-face)에는 복수의 나노 기공이 형성되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 에칭법을 이용한 프리 스탠딩 질화갈륨 기판 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서,상기 에칭은 실온(room temperature)에서 실시하는 것을 전기화학적 에칭법을 이용한 프리 스탠딩 질화갈륨 기판 제조 방법
8 8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 전기화학적 에칭법을 이용한 프리 스탠딩 질화갈륨 기판 제조 방법에 의해 제조된 프리 스탠딩 질화갈륨 기판을 포함하는 물분해 수소생산용 광전극
9 9
제8항에 있어서,상기 광전극은 상기 질화갈륨 기판의 N-면(N-face)에 형성된 복수의 나노 기공에 의한 표면적 증가로 물분해 효율이 증가되는 것을 특징으로 하는 프리 스탠딩 질화갈륨 기판을 포함하는 물분해 수소생산용 광전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)유제이엘 벤처형전문소재기술개발사업 광전기화학적 물분해 수소생산을 위한 고효율(＞10%),고신뢰성 (＞1000시간) 광전극 소재개발