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탄화규소(SiC)를 포함하는 기재; 및상기 탄화규소를 포함하는 기재 표면에 성장된 탄화규소 휘스커를 포함하며,상기 탄화규소 휘스커는 상기 탄화규소를 포함하는 기재에 화학적으로 결합된복합체
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제1항에 있어서,상기 탄화규소 휘스커는 스팟(spot), 로드(rod) 및 플라워(flower)로 이루어진 군으로부터 선택되는 일 이상의 형태를 갖는 나노구조체를 포함하는복합체
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제1항에 있어서,상기 탄화규소 휘스커의 비표면적은 1 ㎡/g 내지 3000 ㎡/g의 범위인복합체
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제1항에 있어서,상기 탄화규소 휘스커의 형태, 비표면적 및 양은 상기 복합체 제조시 첨가되는 촉매의 양 및 열처리 조건의 조절에 의해 제어되는복합체
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제1항에 있어서,상기 탄화규소를 포함하는 기재는 섬유, 중공사, 박막, 플레이트, 다공체 또는 3D 프린팅 구조물의 형태를 갖는복합체
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제1항에 있어서,상기 탄화규소 휘스커는, 상기 탄화규소를 포함하는 기재를 형성하는 전구체가 세라믹으로 전환되는 과정에서 성장하여 상기 탄화규소를 포함하는 기재에 화학적으로 결합되는복합체
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복합체의 제조방법으로서,상기 방법은탄화규소의 전구체에 촉매를 도핑하는 단계; 및상기 촉매가 도핑된 탄화규소의 전구체에 대하여 열처리를 수행하는 단계를 포함하며,상기 복합체는탄화규소를 포함하는 기재; 및상기 탄화규소를 포함하는 기재 표면에 성장된 탄화규소 휘스커를 포함하는복합체의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 탄화규소의 전구체는, Si와 C를 포함하는 고분자, 또는 Si를 포함하는 고분자와 C를 포함하는 고분자의 혼합물인복합체의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 탄화규소의 전구체는, 폴리카보실란(PCS), 폴리실록산, 실라잔, 보로실란, 실리카졸 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는복합체의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 촉매는 전이금속 촉매, 귀금속 촉매 및 귀금속 유사 촉매(noble like catalyst)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 일 이상을 포함하는복합체의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 촉매는 Al, Fe 및 Ni를 포함하는 전이금속 촉매, Pt, Pd 및 Ag를 포함하는 귀금속 촉매, W2C, 탄화규소 및 WO3를 포함하는 귀금속 유사촉매로 이루어진 군으로부터 선택되는 일 이상을 포함하는복합체의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 탄화규소의 전구체에 촉매를 도핑하는 단계는, 상기 탄화규소의 전구체 합성 중에 또는 합성 후에 촉매를 첨가하여 혼합하는 것을 포함하는복합체의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 열처리는 1200~1600℃ 범위의 온도에서 수행되는복합체의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 촉매가 도핑된 탄화규소의 전구체에 대하여 열처리를 수행하는 단계는, 열처리를 수행함으로써 상기 전구체가 세라믹으로 전환되는 과정에서 탄화규소 휘스커가 성장하여 상기 탄화규소를 포함하는 기재에 화학적으로 결합되는 것을 포함하는복합체의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 탄화규소 휘스커는 스팟(spot), 로드(rod) 및 플라워(flower)로 이루어진 군으로부터 선택되는 일 이상의 형태를 갖는 나노구조체를 포함하는복합체의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 탄화규소 휘스커의 형태, 비표면적 및 양은 상기 도핑된 촉매의 양 및 열처리 조건의 조절에 의해 제어되는복합체의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 촉매가 도핑된 탄화규소의 전구체에 대하여 열처리를 수행하는 단계 전에, 상기 촉매가 도핑된 탄화규소의 전구체를 섬유, 중공사, 박막, 플레이트, 다공체 또는 3D 프린팅 구조물의 형태를 갖도록 형성하는 단계를 더 포함하는복합체의 제조방법
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