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(a) 기판의 표면을 에칭하는 단계; (b) 상기 에칭된 기판에 GaCl을 공급하여 전처리하는 단계; 및 (c) 상기 전처리된 기판을 N2 가스 분위기에 노출시킨 상태에서 750 ~ 900℃의 소스온도 및 800 ~ 1,100℃의 성장온도 조건으로 성장시켜 β-Ga2O3 박막을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 (c) 단계에서, 상기 성장시 증착 가스로는 O2 및 GaCl을 이용하되, 상기 O2 및 GaCl 모두를 주기적으로 공급 및 차단을 반복하는 복합 펄스 모드로 공급하는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용하여 성장한 고품질 β-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 상기 β-Ga2O3 박막과 이종 재질인 GaN, 사파이어 및 Si 중 선택된 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용하여 성장한 고품질 β-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 상기 에칭은 300 ~ 700℃에서 5 ~ 15분 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용하여 성장한 고품질 β-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 전처리는 4 ~ 8분 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용하여 성장한 고품질 β-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 O2 및 HCl은 100 ~ 1,000sccm 및 1 ~ 50sccm 조건으로 각각 공급하되, 상기 O2 및 GaCl 모두를 주기적으로 공급 및 차단을 반복하는 복합 펄스 모드로 공급하는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용하여 성장한 고품질 β-Ga2O3 박막 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 (c) 단계에서,상기 복합 펄스 모드는 상기 O2 및 GaCl을 1 ~ 3분 간격으로 공급 및 차단을 각각 반복하는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용하여 성장한 고품질 β-Ga2O3 박막 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 (c) 단계에서,상기 O2 및 GaCl은 상호 간의 공급 주기가 겹치지 않도록 교차적으로 공급하는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용하여 성장한 고품질 β-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 성장온도는 900 ~ 1,000℃ 조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용하여 성장한 고품질 β-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 성장은 5 ~ 15분 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용하여 성장한 고품질 β-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 β-Ga2O3 박막은 500 ~ 2,000nm 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용하여 성장한 고품질 β-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계 이후, 상기 β-Ga2O3 박막은 평균 RMS 표면조도가 20nm 이하를 갖는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용하여 성장한 고품질 β-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계 이후, (d) 상기 β-Ga2O3 박막이 형성된 기판을 상온까지 냉각하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용하여 성장한 고품질 β-Ga2O3 박막 제조 방법
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(a) Ga2O3 기판을 N2 가스 분위기에 노출시킨 상태에서 750 ~ 900℃의 소스온도 및 800 ~ 1,100℃의 성장온도 조건으로 성장시켜 β-Ga2O3 박막을 형성하는 단계; 및 (b) β-Ga2O3 박막이 형성된 기판을 상온까지 냉각하는 단계;를 포함하며, 상기 (a) 단계에서, 상기 성장시 증착 가스로는 O2 및 GaCl을 이용하되, 상기 O2 및 GaCl 모두를 주기적으로 공급 및 차단을 반복하는 복합 펄스 모드로 공급하는 것을 특징으로 하는 HVPE 성장법을 이용하여 성장한 고품질 β-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 HVPE 성장법을 이용하여 성장한 고품질 β-Ga2O3 박막 제조 방법에 의해 제조된 β-Ga2O3 박막
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