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플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버; 및상기 챔버 내에 실장되고 플라즈마와 접촉하는 부품을 포함하며,상기 부품 또는 상기 챔버의 내벽은 내플라즈마 재질의 실리콘카바이드계 복합체로 이루어지고,상기 실리콘카바이드계 복합체는 SiC와 B4C가 50:50 내지 90:10의 중량비를 이루고 있으며,상기 실리콘카바이드계 복합체는 SiC 결정상과 B4C 결정상을 포함하면서 92% 보다 높은 상대밀도를 나타내고 30Ω·㎝ 보다 낮은 비저항을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서, 상기 부품은 서셉터, 샤워헤드 또는 에지링인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서, 상기 실리콘카바이드계 복합체는 Al2O3 결정상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서, 상기 실리콘카바이드계 복합체는 Y2O3 결정상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서, 상기 실리콘카바이드계 복합체는 YAG(Yttrium aluminium garnet, Y3Al5O12) 결정상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제1항에 있어서, 상기 실리콘카바이드계 복합체는 50W/mK 보다 높은 열전도도를 나타내는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내에 실장되고 플라즈마와 접촉하는 부품을 포함하는 플라즈마 처리 장치의 제조방법에 있어서,출발원료로 SiC 분말 및 B4C 분말을 준비하고 혼합하여 슬러리 상태로 만드는 단계;슬러리 상태의 출발원료를 분무건조(spray drying) 하여 과립분말을 수득하는 단계;플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버 내에 실장되어 플라즈마와 접촉하는 부품의 형상으로 성형하거나 상기 챔버 내벽의 형상으로 성형하기 위한 몰드를 준비하는 단계;상기 과립분말을 상기 몰드에 담아 퍼니스에 장입하는 단계;상기 퍼니스의 온도를 승온하고 상기 과립분말에 압력을 가하면서 소결시키는 단계; 및상기 퍼니스를 냉각하여 내플라즈마 재질의 실리콘카바이드계 복합체로 이루어진 상기 부품 또는 상기 챔버의 내벽을 수득하는 단계를 포함하며,상기 SiC 분말과 상기 B4C 분말은 50:50 내지 90:10의 중량비로 혼합하고,상기 실리콘카바이드계 복합체는 SiC 결정상과 B4C 결정상을 포함하면서 92% 보다 높은 상대밀도를 나타내고 30Ω·㎝ 보다 낮은 비저항을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 제조방법
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플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내에 실장되고 플라즈마와 접촉하는 부품을 포함하는 플라즈마 처리 장치의 제조방법에 있어서,출발원료로 SiC 분말 및 B4C 분말을 준비하고 혼합하여 슬러리 상태로 만드는 단계;슬러리 상태의 출발원료를 분무건조(spray drying) 하여 과립분말을 수득하는 단계;플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버 내에 실장되어 플라즈마와 접촉하는 부품의 형상으로 성형하거나 상기 챔버 내벽의 형상으로 성형하기 위한 몰드를 준비하는 단계;상기 과립분말을 상기 몰드에 담아 퍼니스에 장입하는 단계;상기 퍼니스의 온도를 승온하고 상기 과립분말에 압력을 가하면서 소결시키는 단계; 및상기 퍼니스를 냉각하여 내플라즈마 재질의 실리콘카바이드계 복합체로 이루어진 상기 부품 또는 상기 챔버의 내벽을 수득하는 단계를 포함하며,상기 실리콘카바이드계 복합체는 SiC 결정상과 B4C 결정상을 포함하면서 92% 보다 높은 상대밀도를 나타내고 30Ω·㎝ 보다 낮은 비저항을 갖고,상기 출발원료는 알루미늄 나이트레이트 수화물을 더 포함하고, 상기 알루미늄 나이트레이트 수화물은 상기 SiC 분말과 상기 B4C 분말의 전체 함량 100중량부에 대하여 0
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플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내에 실장되고 플라즈마와 접촉하는 부품을 포함하는 플라즈마 처리 장치의 제조방법에 있어서,출발원료로 SiC 분말 및 B4C 분말을 준비하고 혼합하여 슬러리 상태로 만드는 단계;슬러리 상태의 출발원료를 분무건조(spray drying) 하여 과립분말을 수득하는 단계;플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버 내에 실장되어 플라즈마와 접촉하는 부품의 형상으로 성형하거나 상기 챔버 내벽의 형상으로 성형하기 위한 몰드를 준비하는 단계;상기 과립분말을 상기 몰드에 담아 퍼니스에 장입하는 단계;상기 퍼니스의 온도를 승온하고 상기 과립분말에 압력을 가하면서 소결시키는 단계; 및상기 퍼니스를 냉각하여 내플라즈마 재질의 실리콘카바이드계 복합체로 이루어진 상기 부품 또는 상기 챔버의 내벽을 수득하는 단계를 포함하며,상기 실리콘카바이드계 복합체는 SiC 결정상과 B4C 결정상을 포함하면서 92% 보다 높은 상대밀도를 나타내고 30Ω·㎝ 보다 낮은 비저항을 갖고,상기 출발원료는 이트륨 나이트레이트 수화물을 더 포함하고, 상기 이트륨 나이트레이트 수화물은 상기 SiC 분말과 상기 B4C 분말의 전체 함량 100중량부에 대하여 0
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플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내에 실장되고 플라즈마와 접촉하는 부품을 포함하는 플라즈마 처리 장치의 제조방법에 있어서,출발원료로 SiC 분말 및 B4C 분말을 준비하고 혼합하여 슬러리 상태로 만드는 단계;슬러리 상태의 출발원료를 분무건조(spray drying) 하여 과립분말을 수득하는 단계;플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버 내에 실장되어 플라즈마와 접촉하는 부품의 형상으로 성형하거나 상기 챔버 내벽의 형상으로 성형하기 위한 몰드를 준비하는 단계;상기 과립분말을 상기 몰드에 담아 퍼니스에 장입하는 단계;상기 퍼니스의 온도를 승온하고 상기 과립분말에 압력을 가하면서 소결시키는 단계; 및상기 퍼니스를 냉각하여 내플라즈마 재질의 실리콘카바이드계 복합체로 이루어진 상기 부품 또는 상기 챔버의 내벽을 수득하는 단계를 포함하며,상기 실리콘카바이드계 복합체는 SiC 결정상과 B4C 결정상을 포함하면서 92% 보다 높은 상대밀도를 나타내고 30Ω·㎝ 보다 낮은 비저항을 갖고,상기 출발원료는 알루미늄 나이트레이트 수화물과 이트륨 나이트레이트 수화물을 더 포함하고, 상기 알루미늄 나이트레이트 수화물과 상기 이트륨 나이트레이트 수화물은 상기 SiC 분말과 상기 B4C 분말의 전체 함량 100중량부에 대하여 0
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플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내에 실장되고 플라즈마와 접촉하는 부품을 포함하는 플라즈마 처리 장치의 제조방법에 있어서,출발원료로 SiC 분말 및 B4C 분말을 준비하고 혼합하여 슬러리 상태로 만드는 단계;슬러리 상태의 출발원료를 분무건조(spray drying) 하여 과립분말을 수득하는 단계;플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버 내에 실장되어 플라즈마와 접촉하는 부품의 형상으로 성형하거나 상기 챔버 내벽의 형상으로 성형하기 위한 몰드를 준비하는 단계;상기 과립분말을 상기 몰드에 담아 퍼니스에 장입하는 단계;상기 퍼니스의 온도를 승온하고 상기 과립분말에 압력을 가하면서 소결시키는 단계; 및상기 퍼니스를 냉각하여 내플라즈마 재질의 실리콘카바이드계 복합체로 이루어진 상기 부품 또는 상기 챔버의 내벽을 수득하는 단계를 포함하며,상기 실리콘카바이드계 복합체는 SiC 결정상과 B4C 결정상을 포함하면서 92% 보다 높은 상대밀도를 나타내고 30Ω·㎝ 보다 낮은 비저항을 갖고,상기 출발원료는 Al(OH)3 분말을 더 포함하고, 상기 Al(OH)3 분말은 상기 SiC 분말과 상기 B4C 분말의 전체 함량 100중량부에 대하여 0
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플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내에 실장되고 플라즈마와 접촉하는 부품을 포함하는 플라즈마 처리 장치의 제조방법에 있어서,출발원료로 SiC 분말 및 B4C 분말을 준비하고 혼합하여 슬러리 상태로 만드는 단계;슬러리 상태의 출발원료를 분무건조(spray drying) 하여 과립분말을 수득하는 단계;플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버 내에 실장되어 플라즈마와 접촉하는 부품의 형상으로 성형하거나 상기 챔버 내벽의 형상으로 성형하기 위한 몰드를 준비하는 단계;상기 과립분말을 상기 몰드에 담아 퍼니스에 장입하는 단계;상기 퍼니스의 온도를 승온하고 상기 과립분말에 압력을 가하면서 소결시키는 단계; 및상기 퍼니스를 냉각하여 내플라즈마 재질의 실리콘카바이드계 복합체로 이루어진 상기 부품 또는 상기 챔버의 내벽을 수득하는 단계를 포함하며,상기 실리콘카바이드계 복합체는 SiC 결정상과 B4C 결정상을 포함하면서 92% 보다 높은 상대밀도를 나타내고 30Ω·㎝ 보다 낮은 비저항을 갖고,상기 출발원료는 Y2O3 분말을 더 포함하고, 상기 Y2O3 분말은 상기 SiC 분말과 상기 B4C 분말의 전체 함량 100중량부에 대하여 0
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플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내에 실장되고 플라즈마와 접촉하는 부품을 포함하는 플라즈마 처리 장치의 제조방법에 있어서,출발원료로 SiC 분말 및 B4C 분말을 준비하고 혼합하여 슬러리 상태로 만드는 단계;슬러리 상태의 출발원료를 분무건조(spray drying) 하여 과립분말을 수득하는 단계;플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버 내에 실장되어 플라즈마와 접촉하는 부품의 형상으로 성형하거나 상기 챔버 내벽의 형상으로 성형하기 위한 몰드를 준비하는 단계;상기 과립분말을 상기 몰드에 담아 퍼니스에 장입하는 단계;상기 퍼니스의 온도를 승온하고 상기 과립분말에 압력을 가하면서 소결시키는 단계; 및상기 퍼니스를 냉각하여 내플라즈마 재질의 실리콘카바이드계 복합체로 이루어진 상기 부품 또는 상기 챔버의 내벽을 수득하는 단계를 포함하며,상기 실리콘카바이드계 복합체는 SiC 결정상과 B4C 결정상을 포함하면서 92% 보다 높은 상대밀도를 나타내고 30Ω·㎝ 보다 낮은 비저항을 갖고,상기 출발원료는 액상 규산소다(sodium silicate)를 더 포함하고, 상기 액상 규산소다는 상기 SiC 분말과 상기 B4C 분말의 전체 함량 100중량부에 대하여 0
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플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내에 실장되고 플라즈마와 접촉하는 부품을 포함하는 플라즈마 처리 장치의 제조방법에 있어서,출발원료로 SiC 분말 및 B4C 분말을 준비하고 혼합하여 슬러리 상태로 만드는 단계;슬러리 상태의 출발원료를 분무건조(spray drying) 하여 과립분말을 수득하는 단계;플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버 내에 실장되어 플라즈마와 접촉하는 부품의 형상으로 성형하거나 상기 챔버 내벽의 형상으로 성형하기 위한 몰드를 준비하는 단계;상기 과립분말을 상기 몰드에 담아 퍼니스에 장입하는 단계;상기 퍼니스의 온도를 승온하고 상기 과립분말에 압력을 가하면서 소결시키는 단계; 및상기 퍼니스를 냉각하여 내플라즈마 재질의 실리콘카바이드계 복합체로 이루어진 상기 부품 또는 상기 챔버의 내벽을 수득하는 단계를 포함하며,상기 실리콘카바이드계 복합체는 SiC 결정상과 B4C 결정상을 포함하면서 92% 보다 높은 상대밀도를 나타내고 30Ω·㎝ 보다 낮은 비저항을 갖고,상기 소결온도는 1750∼2100℃ 범위인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 제조방법
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플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내에 실장되고 플라즈마와 접촉하는 부품을 포함하는 플라즈마 처리 장치의 제조방법에 있어서,출발원료로 SiC 분말 및 B4C 분말을 준비하고 혼합하여 슬러리 상태로 만드는 단계;슬러리 상태의 출발원료를 분무건조(spray drying) 하여 과립분말을 수득하는 단계;플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버 내에 실장되어 플라즈마와 접촉하는 부품의 형상으로 성형하거나 상기 챔버 내벽의 형상으로 성형하기 위한 몰드를 준비하는 단계;상기 과립분말을 상기 몰드에 담아 퍼니스에 장입하는 단계;상기 퍼니스의 온도를 승온하고 상기 과립분말에 압력을 가하면서 소결시키는 단계; 및상기 퍼니스를 냉각하여 내플라즈마 재질의 실리콘카바이드계 복합체로 이루어진 상기 부품 또는 상기 챔버의 내벽을 수득하는 단계를 포함하며,상기 실리콘카바이드계 복합체는 SiC 결정상과 B4C 결정상을 포함하면서 92% 보다 높은 상대밀도를 나타내고 30Ω·㎝ 보다 낮은 비저항을 갖고,상기 과립분말에 가해지는 압력은 10∼60MPa 범위인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 제조방법
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플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버 내에 실장되고 플라즈마와 접촉하는 부품을 포함하는 플라즈마 처리 장치의 제조방법에 있어서,출발원료로 SiC 분말 및 B4C 분말을 준비하고 혼합하여 슬러리 상태로 만드는 단계;슬러리 상태의 출발원료를 분무건조(spray drying) 하여 과립분말을 수득하는 단계;플라즈마 처리를 위한 반응공간을 제공하는 챔버 내에 실장되어 플라즈마와 접촉하는 부품의 형상으로 성형하거나 상기 챔버 내벽의 형상으로 성형하기 위한 몰드를 준비하는 단계;상기 과립분말을 상기 몰드에 담아 퍼니스에 장입하는 단계;상기 퍼니스의 온도를 승온하고 상기 과립분말에 압력을 가하면서 소결시키는 단계; 및상기 퍼니스를 냉각하여 내플라즈마 재질의 실리콘카바이드계 복합체로 이루어진 상기 부품 또는 상기 챔버의 내벽을 수득하는 단계를 포함하며,상기 실리콘카바이드계 복합체는 SiC 결정상과 B4C 결정상을 포함하면서 92% 보다 높은 상대밀도를 나타내고 30Ω·㎝ 보다 낮은 비저항을 갖고,상기 분무건조는 유입구(Inlet) 온도 85∼270℃, 배출구(Outlet)의 온도 60∼120℃, 회전속도 6000∼15000 rpm의 조건에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 실리콘카바이드계 복합체는 50W/mK 보다 높은 열전도도를 나타내는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 부품은 서셉터, 샤워헤드 또는 에지링인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 제조방법
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