1 |
1
저잡음 증폭기에 있어서,상보적으로 연결된 P형 트랜지스터 A 및 N형 트랜지스터 A를 포함하는 메인 증폭기; 및상기 메인 증폭기와 연결되며, 상보적으로 연결된 P형 트랜지스터 B 및 N형 트랜지스터 B와, 상기 P형 트랜지스터 B의 바디 전극과 상기 N형 트랜지스터 B의 바디 전극 사이에 연결되는 저항 B을 포함하는 보조 증폭기;를 포함하되,상기 저잡음 증폭기는 상기 P형 트랜지스터 A와 상기 N형 트랜지스터 A 사이의 노드 a와 상기 P형 트랜지스터 B와 상기 N형 트랜지스터 B 사이의 노드 c 사이에 연결되는 소스 팔로워를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
|
2 |
2
제1항에 있어서, 상기 P형 트랜지스터 B 내의 PN 접합 구조의 누설 전류가 상기 저항 B에 인가되어 상기 P형 트랜지스터 B의 바디 전극 및 상기 N형 트랜지스터 B의 바디 전극에 바이어스 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
|
3 |
3
제1항에 있어서, 상기 메인 증폭기는, 상기 P형 트랜지스터 A의 바디 전극과 상기 N형 트랜지스터 A의 바디 전극 사이에 연결되는 저항 A을 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
|
4 |
4
제3항에 있어서, 상기 P형 트랜지스터 A 내의 PN 접합 구조의 누설 전류가 상기 저항 A에 인가되어 상기 P형 트랜지스터 A의 바디 전극과 상기 N형 트랜지스터 A의 바디 전극에 바이어스 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
|
5 |
5
제3항에 있어서, 상기 보조 증폭기는, 일단이 상기 P형 트랜지스터 A의 게이트 전극과 연결되고 타단이 상기 P형 트랜지스터 B의 게이트 전극과 연결되는 제1 캐패시터와, 일단이 상기 제1 캐패시터의 타단 및 상기 P형 트랜지스터 B의 게이트 전극과 연결되고 타단이 상기 P형 트랜지스터 B의 드레인 전극과 연결되는 제1 저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
|
6 |
6
제5항에 있어서, 상기 P형 트랜지스터 A의 소스 전극 및 상기 P형 트랜지스터 B의 소스 전극은 전원전압단과 연결되고, 상기 N형 트랜지스터 A의 소스 전극 및 상기 N형 트랜지스터 B의 소스 전극은 접지와 연결되고,상기 P형 트랜지스터 A의 드레인 전극과 상기 N형 트랜지스터 A의 드레인 전극은 상기 노드 a에서 서로 연결되고, 상기 P형 트랜지스터 A의 게이트 전극과 상기 N형 트랜지스터 A의 게이트 전극은 노드 b에서 서로 연결되고, 상기 P형 트랜지스터 B의 드레인 전극과 상기 N형 트랜지스터 B의 드레인 전극은 상기 노드 c에서 서로 연결되고, 상기 N형 트랜지스터 B의 게이트 전극은 상기 노드 b와 연결되는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
|
7 |
7
제6항에 있어서, 상기 소스 팔로워는, 드레인 전극이 상기 전원전압단과 연결되고, 소스 전극이 상기 노드 c와 연결되는 N형 트랜지스터 C, 일단이 상기 노드 a와 연결되고 타단이 상기 N형 트랜지스터 C의 게이트 전극과 연결되는 제2 캐패시터, 일단이 상기 N형 트랜지스터 C의 게이트 전극과 연결되고 타단이 상기 N형 트랜지스터 C의 드레인 전극과 연결되는 제2 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
|
8 |
8
저잡음 증폭기에 있어서, 상보적으로 연결된 P형 트랜지스터 A 및 N형 트랜지스터 A를 포함하는 메인 증폭기; 및상기 메인 증폭기와 연결되며, 상보적으로 연결된 P형 트랜지스터 B 및 N형 트랜지스터 B를 포함하는 보조 증폭기;를 포함하되, 상기 P형 트랜지스터 B의 바디 전극과 상기 N형 트랜지스터 B의 바디 전극에는 바이어스 전압이 인가되며,상기 저잡음 증폭기는 상기 P형 트랜지스터 A와 상기 N형 트랜지스터 A 사이의 노드 a와 상기 P형 트랜지스터 B와 상기 N형 트랜지스터 B 사이의 노드 c 사이에 연결되는 소스 팔로워를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
|
9 |
9
제8항에 있어서, 상기 P형 트랜지스터 A의 바디 전극과 상기 N형 트랜지스터 A의 바디 전극에는 바이어스 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기
|