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그래핀 기반 물질의 프랙탈 차원을 조절하는 방법

  • 기술번호 : KST2020008720
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 그래핀 기반 물질의 프랙탈 차원을 조절하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 보다 간편한 방법으로 프랙탈 차원을 조절함으로써 다양한 소재를 개발할 수 있는 기술을 제공하고자 하는 것이다. 본 발명의 여러 구현예에 따르면, 그래핀 기반 물질의 기공도를 조절하는 개질 방법으로 용이하게 그래핀 기반 물질의 프랙탈 차원을 변화시키는데 현저한 효과를 나타낸다. 또한, 그래핀 기반 물질에 첨가제를 투입함으로써 다양한 응용분야로도 응용이 가능한 소재를 제공할 수 있다.
Int. CL C01B 32/198 (2017.01.01) C01B 32/194 (2017.01.01) H01G 11/24 (2013.01.01) H01G 11/32 (2013.01.01)
CPC C01B 32/198(2013.01) C01B 32/198(2013.01) C01B 32/198(2013.01) C01B 32/198(2013.01)
출원번호/일자 1020180148410 (2018.11.27)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0062708 (2020.06.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.11.27)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박호범 서울특별시 성동구
2 신재은 세종특별자치시
3 파하드 모그하담 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-1182907-67
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.08.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.10.08 수리 (Accepted) 9-1-2019-0044872-18
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0267578-25
7 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2020-0610898-31
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0679023-69
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2020-0678982-40
10 등록결정서
Decision to grant		 2020.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0745245-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀 기반 물질의 기공도를 제어하여 프랙탈 차원을 조절하는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 물질의 프랙탈 차원 조절방법
2 2
제1항에 있어서,상기 그래핀 기반 물질의 프랙탈 차원 조절방법은(A) 그래핀 기반 물질을 개질하는 단계; 및(B) 상기 개질된 그래핀 기반 물질을 에어로졸 방식으로 3차원 구조를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 물질의 프랙탈 차원 조절방법
3 3
제2항에 있어서,상기 (A) 단계는 40 내지 60 ℃의 온도에서 1 내지 5 시간 동안 수열 처리하는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 물질의 프랙탈 차원 조절방법
4 4
제2항에 있어서,상기 (B) 단계는 개질된 그래핀 기반 물질에 첨가제를 추가로 투입하여 3차원 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 물질의 프랙탈 차원 조절방법
5 5
제3항에 있어서,상기 첨가제는 금속-유기 골격구조체 또는 금속 산화물을 포함하는 금속 입자인 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 물질의 프랙탈 차원 조절방법
6 6
제1항에 있어서,상기 그래핀 기반 물질은 산화 그래핀, 환원된 산화 그래핀 및 그래핀 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 물질의 프랙탈 차원 조절방법
7 7
제1항에 내지 제6항 중 어느 한 항에 따라 프랙탈 차원이 조절된 그래핀 기반 물질을 포함하는 전극 소재
8 8
제7항에 따른 전극 소재를 포함하는 전지
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DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2020111632 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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