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적어도 2종 이상의 금속염을 혼합하여, 양이온 화합물 층과, 음이온 및 결정수를 포함하는 음이온 화합물 층이 교대로 반복되어 적층된 적층 구조체를 제조하는 단계;상기 적층 구조체를 1차 열처리하여, 상기 양이온 화합물 층 사이를 팽창시켜 예비 음이온 흡착제를 제조하는 단계; 및 상기 예비 음이온 흡착제를 2차 열처리하여, 상기 음이온 화합물 층의 상기 음이온 및 상기 결정수를 제거하되, 적어도 하나의 상기 음이온을 잔존시켜, 도금 또는 제철 폐수 내의 타겟 음이온을 흡착하는 음이온 흡착제를 제조하는 단계를 포함하는 음이온 흡착제의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 양이온 화합물 층은, 양이온 및 수산화이온의 화합물을 포함하고, 상기 2차 열처리하는 단계에 의해,상기 화합물의 상기 수산화이온이 제거되는 것을 포함하는 음이온 흡착제의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 적층 구조체를 제조하는 단계는,질소 분위기에서 수행되는 것을 포함하는 음이온 흡착제의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 음이온 흡착제를 제조하는 단계는, 마이크로 웨이브 플라즈마를 이용해 열처리를 수행하는 것을 포함하는 음이온 흡착제의 제조 방법
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이격된 복수의 양이온 층;인접한 상기 양이온 층간을 결합시키는 적어도 하나의 음이온; 및인접한 상기 양이온 층 사이에 빈 공간을 포함하되, 인접한 상기 양이온 층 사이에 제공된 공간에서, 상기 음이온이 차지하는 부피보다 상기 빈 공간이 차지하는 부피가 큰 것을 포함하고, 도금 또는 제철 폐수 내의 타겟 음이온이 상기 빈 공간에 흡착되는 것을 포함하는 음이온 흡착제
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제5 항에 있어서,상기 타겟 음이온은, Ni(CN)42-, [M1(CN)6]3- (M1=Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co), [M2(CN)4]2- (M2=Ni, Pd, Pt), 및 [M3(CN)2] (M3=Cu, Ag, Au), 또는 Cl- 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 음이온 흡착제
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제5 항에 있어서,상기 음이온은 1가 또는 2가인 것을 포함하고, 상기 양이온은 적어도 2종 이상의 금속 이온을 포함하되, 상기 금속이온은 2가 및 3가인 것을 포함하는 음이온 흡착제
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음이온 흡착제 의해 정화된 도금 또는 제철 폐수에 있어서,상기 음이온 흡착제는, 서로 이격된 복수의 양이온 층, 및 인접한 상기 양이온 층간을 결합시키는 적어도 하나의 음이온을 포함하고,상기 도금 또는 제철 폐수 내의 타겟 음이온이 상기 음이온 흡착제의 인접한 상기 양이온 층 사이에 흡착된 것을 포함하는, 정화된 도금 또는 제철 폐수
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제8 항에 있어서,상기 양이온 층은, Mg 및 Al을 포함하는, 정화된 도금 또는 제철 폐수
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