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푸리에 변환 적외선(FT-IR) 스펙트럼에서, 955 내지 960cm-1의 파수(wavenumber) 범위에 대하여 투과도(transmittance) 피크를 나타내는 것을 포함하는 탄소 구조체
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제1 항에 있어서,응집된 고리형 에테르(aggregated cyclic ether)로 기능화된 sp2-혼성궤도 구조를 포함하고, 955 내지 960cm-1의 파수(wavenumber) 범위에서 상기 투과도(transmittance) 피크는, 응집된 상기 고리형 에테르(aggregated cyclic ether)에 대응하는 것을 포함하는 탄소 구조체
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제2 항에 있어서,응집된 상기 고리형 에테르는, 적어도 하나 이상의 상기 고리형 에테르가 상기 탄소 구조체의 가장자리(edge)에 인접하여 형성되는 것을 포함하는 탄소 구조체
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제1 항에 있어서,비활성 가스 분위기 하에 대하여, 600℃ 이상의 온도 범위에서 분해되는 것을 포함하는 탄소 구조체
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제1 항에 있어서,0
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제1 항에 있어서,바운더리형(boundary-like) 결함(defect)의 양이, 공공형(vacancy-like) 결함의 양보다 많은 것을 포함하는 탄소 구조체
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제1 전극;제2 전극;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 개재된 액체 전해질; 및상기 액체 전해질 내에 배치된 세퍼레이터를 포함하되,상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극 중에서 적어도 어느 하나는 제1 항에 따른 상기 탄소 구조체를 포함하고,상기 탄소 구조체, 및 상기 액체 전해질 계면에서 전기이중층을 형성하는 것을 포함하는 전기이중층 커패시터(electric double-layer capacitor)
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제7 항에 있어서,상기 액체 전해질은, 산성 전해질 또는 염기성 전해질 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 경우,상기 탄소 구조체, 및 상기 액체 전해질 계면에서 가역적인 패러딕(faradic) 산화-환원 반응에 의해 유사커패시턴스(pseducapacitance)를 갖는 것을 포함하는 전기이중층 커패시터
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적어도 하나 이상의 그래핀(graphene)층이 적층된 흑연질 탄소 단일체(graphitic carbon monolith)를 준비하는 단계; 및상기 흑연질 탄소 단일체의 열산화 공정으로, 적층된 상기 그래핀층의 면 내(in-plane)에 산소를 도입시켜, 응집된 고리형 에테르(aggregated cyclic ether)로 기능화된 sp2-혼성궤도 구조를 갖는 탄소 구조체를 제조하는 단계를 포함하는 탄소 구조체의 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 열산화하는 단계는, 400℃ 초과 500℃ 미만의 온도 범위에서 3시간 초과 5시간 미만의 시간 동안 수행되는 것을 포함하는 탄소 구조체의 제조 방법
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제9 항에 있어서,푸리에 변환 적외선(FT-IR) 스펙트럼에서, 상기 열처리하는 단계의 열처리 시간이 증가할수록, 955 내지 960cm-1의 파수(wavenumber) 범위에서, 투과도(transmittance) 피크의 세기가 증가하는 것을 포함하는 탄소 구조체의 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 열처리하는 단계의 온도가 증가할수록, 접촉각이 감소하는 것을 포함하는 탄소 구조체의 제조 방법
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