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실리콘-리튬나이오베이트 포토닉스 기반의 광 도파관에 있어서,상기 광 도파관은실리콘 기판층;상기 실리콘 기판층 상부에 형성된 절연 실리카층;상기 절연 실리카층 상부에 형성된 리튬나이오베이트 박막층; 및상기 리튬나이오베이트 박막층 상부에 형성된 고 굴절률층; 을 포함하되,상기 고 굴절률층은 비정질 실리콘(a-Si) 또는 이산화티타늄(TiO2)을 상기 리튬나이오베이트 박막층에 증착시켜서 형성된 것을 특징으로 하는 광 도파관
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제2항에 있어서,상기 리튬나이오베이트 박막층은 700nm 두께로 형성되고, 상기 고 굴절률층은 두께 100nm 비정질 실리콘(a-Si)으로 형성한 것을 특징으로 하는 광 도파관
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제2항에 있어서,상기 리튬나이오베이트 박막층은 펨토초 레이저로 광 도파로로 형성될 부분의 양쪽 경계면(side wall)을 조사하여 상기 광 도파로의 양면의 굴절률을 상대적으로 낮춘 것을 특징으로 하는 광 도파관
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제2항에 있어서,상기 리튬나이오베이트 박막층은 광 도파로로 형성될 부분의 양쪽 경계면(side wall)에 800nm 파장, 120 fs 펄스폭(pulse width), 400 nJ ~ 600 nJ의 펄스 에너지를 갖는 펨토초 레이저로 조사하여 형성된 것을 특징으로 하는 광 도파관
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제4항에 있어서,상기 광 도파로는 1㎛의 폭으로 형성된 것을 특징으로 하는 광 도파관
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제4항에 있어서,상기 광 도파로의 양면의 굴절률은 주변에 비해 0
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실리콘-리튬나이오베이트 포토닉스 기반의 초미세 광 위상 변조기에 있어서,상기 광 위상 변조기는제2 전극이 상부에 형성된 실리콘 기판층;상기 실리콘 기판층 상부에 형성된 절연 실리카층;상기 절연 실리카층 상부에 형성된 리튬나이오베이트 막층; 상기 리튬나이오베이트 박막층 상부에 형성된 고 굴절률층; 및상기 고 굴절률층 상부에 형성된 제1전극; 을 포함하되,상기 고 굴절률층은 비정질 실리콘(a-Si) 또는 이산화티타늄(TiO2)을 상기 리튬나이오베이트 박막층에 증착시켜서 형성된 것을 특징으로 하는 초미세 광 위상 변조기
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제9항에 있어서,상기 리튬나이오베이트 박막층은 펨토초 레이저로 광 도파로로 형성될 부분의 양쪽 경계면(side wall)을 조사하여 상기 광 도파로의 양면의 굴절률을 상대적으로 낮춘 것을 특징으로 하는 초미세 광 위상 변조기
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제9항에 있어서,상기 리튬나이오베이트 박막층은 광 도파로로 형성될 부분의 양쪽 경계면(side wall)에 800nm 파장, 120 fs 펄스폭(pulse width), 400 nJ ~ 600 nJ의 펄스 에너지를 갖는 펨토초 레이저로 조사하여 형성된 것을 특징으로 하는 초미세 광 위상 변조기
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제10항에 있어서,상기 광 도파로는 1㎛의 폭으로 형성된 것을 특징으로 하는 초미세 광 위상 변조기
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제10항에 있어서,상기 광 도파로를 통과하는 입력 광신호는 상기 제1전극 및 제2 전극에 의해 상기 광 도파로에 수직으로 가해지는 전계에 따라 다음 식의 크기만큼의 굴절률이 변화된 출력 광신호(LO)가 얻어지는 것을 특징으로 하는 초미세 광 위상 변조기
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