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플라즈마 방출 다이오드 소자

  • 기술번호 : KST2020008890
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 한 쌍의 전극에 교류형 고전압을 인가하여 대기압 유전장벽방전 방식으로 플라즈마를 발생하는 플라즈마 칩을 패키징 형태의 플라즈마 방출 다이오드 소자로 제공한다. 플라즈마 다이오드 소자는 다량의 라디칼, 전자, 그리고 음이온 및 양이온이 확산에 의하여 방출된다. 플라즈마 소자의 전극연결을 위한 커넥터 및 전원장치와 결합된 모듈의 형태로도 제공된다. 본 발명의 플라즈마 방출 다이오드(PED) 소자 및 모듈은 의료 및 바이오 장치들의 제작을 위한 플라즈마 소스로 사용된다.
Int. CL H05H 1/24 (2006.01.01) H05H 1/46 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190141351 (2019.11.07)
출원인 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0128127 (2019.11.15) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2017-0132897 (2017.10.12)
관련 출원번호 1020170132897
심사청구여부/일자 Y (2019.11.07)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조 광섭 서울특별시 서초구
2 박봉주 서울특별시 양천구
3 김 윤중 서울특별시 광진구
4 김시찬 경기도 부천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주은희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** 선릉엘지에클라트 B-***(아이디어로특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 서울특별시 노원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2019.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2019-1141264-47
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0076975-13
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2020-0326703-18
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.03.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0326619-81
5 등록결정서
Decision to grant		 2020.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0696113-60
6 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2020.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-5027579-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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플라즈마 방출용 방출구를 구비한 하우징;상기 하우징 내부에 내장된 플라즈마 방출 다이오드(Plasma Emitting Diode:PED) 소자;상기 플라즈마 방출용 방출구를 통해 외부로 플라즈마 입자가 퍼져나가도록 상기 하우징 내부에 배치된 팬;상기 하우징 외부에 결합되어 상기 플라즈마 방출 다이오드 소자와 상기 팬에 전원을 연결하여 주며, AC-전원을 DC로 변환하는 AC-DC 레귤레이터; 및 상기 하우징 내에 배치되며, 상기 AC-DC 레귤레이터로부터 인입된 DC-전압을 교류 고전압으로 전환하여 플라즈마 방출 다이오드 칩에 고전압을 인가하는 DC-AC 인버터;를 포함하고,상기 플라즈마 방출 다이오드 소자는,유전층의 상면에 설치된 제1전극과 상기 유전층의 하면에 설치된 제2전극을 구비한 플라즈마 방출 다이오드 칩; 및상기 플라즈마 방출 다이오드 칩을 패키징하기 위해 상판과 하판을 구비하여 상판과 하판 사이에 상기 플라즈마 방출 다이오드 칩이 배치되며, 플라즈마 방전 공간을 확보하도록 상판과 하판 사이에 스페이서가 구비된 패키징 모듈;을 포함하고,상기 제1전극과 제2전극에 전압이 인가되어 유전장벽방전 플라즈마가 발생되고 확산되어 상기 패키징 모듈의 가장자리에서 플라즈마 입자들이 방출되며, 상기 스페이서에 의해 확보되는 방전공간의 높이는 상기 플라즈마 방출 다이오드 칩의 두께보다 더 높게 설정되되, 상기 플라즈마 방출 다이오드 칩에 의해 발생 되는 플라즈마 방전 경로 중 인가된 방전전압이 최소가 되는 방전 경로를 포함할 수 있는 높이로 설정되어 있고,상기 플라즈마 방출 다이오드 소자의 전극의 선폭 w는 1 mm 내지 3mm이고, 구동 전압은 1kV 이하이며, 상기 선폭에 따라 상기 플라즈마 방출 다이오드 소자의 소모 전력이 증가하여, 상기 플라즈마 방출 다이오드 소자의 소모 전력은 0
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