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레이저 다이오드 영역과 위상 조절 영역을 갖는 기판;상기 기판 상의 도파로 층;상기 도파로 층 상의 클래드 층; 상기 레이저 다이오드 영역의 상기 클래드 층 내의 그레이팅;상기 레이저 다이오드 영역에 인접하는 상기 기판, 상기 도파로 층 및 상기 클레드 층의 일측 측벽에 배치되는 무반사막; 및상기 위상 조절 영역에 인접하는 상기 기판, 상기 도파로 층 및 상기 클래드 층의 타측 측벽에 배치되는 고반사막을 포함하되,상기 기판의 상기 레이저 다이오드 영역은:제 1 및 제 2 레이저 다이오드 영역들; 및상기 제 1 및 제 2 레이저 다이오드 영역들 사이의 위상 천이 영역을 포함하되,상기 그레이팅은:상기 제 1 레이저 다이오드 영역의 상기 클래드 층 내에 배치된 제 1 그레이팅; 및상기 제 2 레이저 다이오드 영역의 상기 클래드 층 내에 배치되고, 상기 제 1 그레이팅의 주기와 다른 주기를 갖는 제 2 그레이팅을 포함하는 분포 궤환 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 그레이팅의 주기는 상기 제 1 그레이팅의 주기의 3배로 큰 분포 궤환 레이저 다이오드
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 그레이팅의 주기는 240nm이고, 상기 제 2 그레이팅의 주기는 720nm인 분포 궤환 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 레이저 다이오드 영역 및 상기 위상 조절 영역의 상기 클래드 층 상에 각각 배치된 제 1 및 제 2 전극들을 더 포함하는 분포 궤환 레이저 다이오드
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제 4 항에 있어서,상기 제 1 전극 상의 제 1 절연 층; 그리고상기 제 1 절연 층 상의 제 1 히터를 더 포함하는 분포 궤환 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 위상 조절 영역의 상기 클래드 층 상의 제 2 절연 층; 그리고상기 제 2 절연 층 상의 제 2 히터를 더 포함하는 분포 궤환 레이이저 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 상기 무반사막과 상기 레이저 다이오드 영역 사이의 증폭 영역을 더 포함하는 분포 궤환 레이저 다이오드
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제 7 항에 있어서,상기 증폭 영역의 상기 클래드 층 상의 제 3 전극을 더 포함하는 분포 궤환 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 상기 무반사막과 상기 레이저 다이오드 영역의 타측에 배치되는 변조 영역을 더 포함하는 분포 궤환 레이저 다이오드
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제 9 항에 있어서,상기 변조 영역의 상기 클래드 층 상의 제 4 전극을 더 포함하는 분포 궤환 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 레이저 다이오드 영역의 상기 도파로 층 내의 양자 우물 층을 더 포함하는 분포 궤환 레이저 다이오드
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