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기판에 소스 및 드레인 영역과 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 소스 및 드레인 영역 상에 툴륨(Tm) 층을 적층시키는 단계; 상기 툴륨 층 상에 금속 층을 적층시키는 단계; 및상기 툴륨 층과 상기 금속 층이 적층된 상기 기판을 열처리 하는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 콘택 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 툴륨 층은 스퍼터링 방식 또는 전자빔 방식을 이용하여 적층되는 반도체 소자의 콘택 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 열처리하는 단계는, 350°C의 조건 하에서 30초 동안 처리되는 반도체 소자의 콘택 형성 방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 툴륨 층 상에 금속 층을 적층시키는 단계;는 상기 툴륨 층 상에 니켈(Ni) 층을 적층시키는 단계; 및상기 니켈 층 상에 타이타늄 나이트라이드(TiN) 층을 적층시키는 단계; 를 포함하는 반도체 소자의 콘택 형성 방법
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제4항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 영역 상에 툴륨(Tm) 층을 적층시키는 단계에서,상기 툴륨 층은 1 내지 10nm의 두께로 적층되는 반도체 소자의 콘택 형성 방법
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제4항에 있어서, 상기 기판은 인듐갈륨아세나이드 기판인 반도체 소자의 콘택 형성 방법
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반도체 소자의 콘택 형성 방법에 있어서, 인듐갈륨아세나이드층이 형성된 기판을 제공하고;상기 인듐갈륨아세나이드층 상에 툴륨층을 형성하고;상기 툴륨층 상에 금속층을 형성하고;상기 툴륨층과 상기 금속층이 형성된 기판을 열처리함을 포함하는 반도체 소자의 콘택 형성 방법
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제7항에 있어서, 상기 금속층을 형성함은, 상기 툴륨층 상에 니켈층을 형성하고;상기 니켈층상에 타이타늄 나이트라이드층을 형성함을 포함하는 반도체 소자의 콘택 형성 방법
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제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 인듐갈륨아세나이드층이 형성된 기판을 제공함은,실리콘 기판 상에 인듐갈륨아세나이드층을 에피택시 성장하고;상기 인듐갈륨아세나이드층에 n-형 또는 p-형 불순물 이온을 주입함을 포함하는,반도체 소자의 콘택 형성 방법
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제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 툴륨층과 상기 금속층이 형성된 기판에 대한 상기 열처리는, 상기 툴륨층의 툴륨, 상기 금속층의 금속, 상기 인듐갈륨아세나이드층의 인듐, 갈륨 및 아세나이드가 합금을 형성하도록 처리되는 반도체 소자의 콘택 형성 방법
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반도체 소자의 콘택에 있어서, 상기 반도체 소자는 콘택 영역을 가지고, 상기 콘택 영역은 툴륨 및 금속을 포함하는 반도체 소자의 콘택
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제11항에 있어서, 상기 금속은 니켈 및 타이타늄 나이트라이드인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택
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제12항에 있어서, 상기 콘택 영역은 인듐갈륨아세나이드를 포함하는 반도체 소자의 콘택
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