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비정질 구조를 갖고,유전상수가 10 이상이며,수소와 탄소의 이차이온 질량분석(SIMS: secondary-ion mass spectrometry) 상대 강도 비가 4 내지 30이고,XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)의 탄소 1s 스펙트럼 상 280eV 내지 290eV 중에 존재하는 결합 에너지 피크(peak)가 1keV 세기의 아르곤(Ar+) 플라즈마 에칭으로 5초 내지 20초 중 어느 하나의 시간 조건 하에서 표면 처리한 전후의 결합 에너지(eV) 이동폭이 0
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제1항에 있어서,등가 산화막 두께 0
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제1항에 있어서, 라만 스펙트럼 피크(peak)가 2000 cm-1 이상의 영역에서 측정 임계치 하한 값으로 나타나는, 탄화수소 박막
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제1항에 있어서, 전자 에너지 손실 분광(Electron energy-loss spectroscopy, EELS) 스펙트럼의 0eV 내지 45eV 영역 중의 최대 피크(Peak)는 20eV 내지 45eV 영역에서 나타나는, 탄화수소 박막
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반응기 내에 탄화수소 가스를 포함하는 제1 가스 및 수소 가스를 포함하는 제2 가스를 주입하는 단계;상기 반응기에 플라즈마를 발생시키는 단계; 및상기 반응기의 온도, 상기 반응기의 압력 및 상기 플라즈마의 세기 중 적어도 하나를 조절하는 단계;를 포함하는, 탄화수소 박막의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 반응기의 온도를 조절하는 단계를 포함하고, 상기 반응기의 온도는 200℃ 내지 600℃로 조절되는, 탄화수소 박막의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 반응기의 압력을 조절하는 단계를 포함하고, 상기 반응기 내 압력은 0
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제5항에 있어서, 상기 플라즈마 세기를 조절하는 단계를 포함하고, 상기 플라즈마 세기는 100W 내지 1,000W로 조절되는, 탄화수소 박막의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 제1 가스 대 상기 제2 가스의 체적비는 1 : 2 내지 1 :50인,탄화수소 박막의 제조방법
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제5항에 있어서, 제3 가스를 주입하는 단계를 더 포함하고, 상기 제3 가스는 비활성 가스를 포함하는, 탄화수소 박막의 제조방법
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실리콘계 기판; 및 상기 실리콘계 기판 상의 탄화수소 박막을 포함하고, 상기 탄화수소 박막이 비정질 구조를 갖고, 유전상수가 10 이상이며,수소와 탄소의 이차이온 질량분석(SIMS: secondary-ion mass spectrometry) 상대 강도 비가 4 내지 30이고,XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)의 탄소 1s 스펙트럼 상 280eV 내지 290eV 중에 존재하는 결합 에너지 피크(peak)가 1keV 세기의 아르곤(Ar+) 플라즈마 에칭으로 5초 내지 20초 중 어느 하나의 시간 조건 하에서 표면 처리한 전후의 결합 에너지(eV) 이동폭이 0
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