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하기 화학식 1로써 표시되는 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀을 포함하는 준-2 차원 페로브스카이트 필름을 포함하는, 발광 디바이스: [화학식 1]AαB2(R1NH3)n-1MnX3n+1+α;상기 화학식 1에서,A 및 B는 각각 독립적으로 유기암모늄 또는 알칼리 금속 이온을 포함하고,R1은 탄소수 1 내지 10의 선형 또는 분지형 알킬기를 포함하고,M은 Pb2+, Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하고,X는 할라이드 음이온을 포함하고,n은 2 이상의 정수이고,α는 A 양이온의 도핑 함량으로서, 0003c#α≤1
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제 1 항에 있어서,상기 화학식 1로써 표시되는 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀은 하기 화학식 2로써 표시되는 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀을 포함하는 것인, 발광 디바이스: [화학식 2](CNR33)α(R2NH3)2(R1NH3)n-1MnX3n+1+α; 상기 화학식 2에서,C는 아릴-알킬기 또는 탄소수 1 내지 10의 선형 알킬기를 포함하고,R1 및 R2은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 선형 또는 분지형 알킬기를 포함하고,R3은 H 또는 탄소수 1 내지 10의 선형 또는 분지형 알킬기를 포함하고,M은 Pb2+, Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하고,X는 할라이드 음이온을 포함하고,n은 2 이상의 정수이고,α는 (CNR33) 양이온의 도핑 함량으로서, 0003c#α≤1
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제 1 항에 있어서, 상기 A 양이온의 도핑 함량 α를 조절함으로써 상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 발광 효율이 조절되는 것인, 발광 디바이스
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제 1 항에 있어서, 상기 A 양이온의 도핑 함량 α를 조절함으로써 상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 발광 파장대가 480 nm에서 500 nm로 제어되는 것인, 발광 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀은 청색 발광을 나타내고, (110) 배향성을 가지는 것인, 발광 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 A 양이온은 벤질트리메틸암모늄, 페닐에틸암모늄 및 n-헥실암모늄 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, 발광 디바이스
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제 2 항에 있어서,상기 C는 페닐-C1-6 알킬기이고, 상기 R1은 C1-6 알킬기이고, 상기 R2는 C1-6 알킬기이고, 상기 M은 Pb2+이고, 상기 X는 요오드 음이온이고, 상기 n은 2 또는 3의 정수이고, 상기 α는 0
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용매에 MX2, R1NH3X 및 BX의 화합물을 혼합하고,상기 혼합물에 AX의 화합물을 첨가하여 하기 화학식 1로써 표시되는 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀을 제조하는 것을 포함하는, 발광 디바이스의 제조 방법:[화학식 1]AαB2(R1NH3)n-1MnX3n+1+α;상기 화학식 1에서,A 및 B는 각각 독립적으로 유기암모늄 또는 알칼리 금속 이온을 포함하고,R1은 탄소수 1 내지 10의 선형 또는 분지형 알킬기를 포함하고,M은 Pb2+, Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하고,X는 할라이드 음이온을 포함하고,n은 2 이상의 정수이고,α는 A 양이온의 도핑 함량으로서, 0003c#α≤1
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제 8 항에 있어서,상기 화학식 1로써 표시되는 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀은 하기 화학식 2로써 표시되는 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀을 포함하는 것인, 발광 디바이스의 제조 방법:[화학식 2](CNR33)α(R2NH3)2(R1NH3)n-1MnX3n+1+α; 상기 화학식 2에서,C는 아릴-알킬기 또는 탄소수 6 내지 10의 선형 알킬기를 포함하고,R1 및 R2은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 선형 또는 분지형 알킬기를 포함하고,R3은 H 또는 탄소수 1 내지 10의 선형 또는 분지형 알킬기를 포함하고,M은 Pb2+, Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하고,X는 할라이드 음이온을 포함하고,n은 2 이상의 정수이고,α는 (CNR33) 양이온의 도핑 함량으로서, 0003c#α≤1
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제 8 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀을 기재 상에 코팅하여 준-2 차원 페로브스카이트 필름을 제조하는 것을 추가 포함하는, 발광 디바이스의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 A 양이온의 도핑 함량 α를 조절함으로써 상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 발광 효율이 조절되는 것인, 발광 디바이스의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 A 양이온의 도핑 양 α를 조절함으로써 상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 발광 파장대가 480 nm에서 500 nm로 제어되는 것인, 발광 디바이스
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제 1 항에 따른 발광 디바이스를 포함하는, 청색 발광 다이오드
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