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잉크젯 에칭 방법 및 상기 방법에 의해 제조되는 전극

  • 기술번호 : KST2020009427
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 잉크젯 에칭 방법, 상기 잉크젯 에칭 방법에 의해 제조되는 전극 및 상기 전극을 포함하는 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 유기 박막 트랜지스터(OTFT)의 성능을 향상시킬 수 있는 다이렉트 잉크젯 에칭 방법을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 잉크젯 에칭 방법은 공정이 간단하고, 에칭 공정에 사용되는 에칭액을 부분적으로만 이용함으로써 폐액 발생을 최소화할 수 있으므로 친환경적이며, 경제적일 뿐만 아니라, 박막 트랜지스터의 드레인 전극 제조 시 수행 조건에 따라 100 nm 이하의 얇은 두께로 결함 없이 채널을 명확하게 구현할 수 있으므로 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터는 일반적인 인쇄 형태로 제조된 소자와 비교하여 우수한 수율을 나타내고, 전기적 특성의 균일한 안정성을 보장할 수 있는 이점이 있다.
Int. CL H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190170959 (2019.12.19)
출원인 건국대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0083246 (2020.07.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020180173591   |   2018.12.31
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.12.19)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고성림 서울특별시 송파구
2 김재민 서울특별시 강동구
3 신재학 경기도 고양시 덕양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-1316709-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0169783-81
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0825433-58
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번호 청구항
1 1
기재 상에 에칭 대상이 되는 금속층을 형성하는 단계;에칭액을 잉크젯용 노즐에 삽입한 후, 상기 금속층에 잉크젯 인쇄하여 에칭하는 단계; 및상기 에칭하는 단계를 거친 금속층을 세척하고 건조하는 단계를 포함하는 잉크젯 에칭 방법
2 2
제 1 항에 있어서,에칭하는 단계는 기재의 금속층에 평균 20 내지 60 ㎛ 간격의 채널을 형성하는 잉크젯 에칭 방법
3 3
제 1 항에 있어서,금속층은 은, 구리, 철 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 잉크젯 에칭 방법
4 4
제 1 항에 있어서,금속층의 평균 두께는 10 내지 100 nm인 잉크젯 에칭 방법
5 5
제 1 항에 있어서,에칭액은 질산철(Ⅲ), 염화철, 황산철, 인산철, 아세트산철, 구연산철 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 철(Fe)계 화합물을 포함하는 잉크젯 에칭 방법
6 6
제 5 항에 있어서,철(Fe)계 화합물의 함량은 에칭액 100 부피부를 기준으로 30 내지 50 부피부인 것인 잉크젯 에칭 방법
7 7
제 1 항에 있어서,에칭하는 단계를 수행하는 동안 금속층이 형성된 기재의 하부를 가열하는 것을 추가 포함하는 잉크젯 에칭 방법
8 8
제 7 항에 있어서,금속층이 형성된 기재의 하부의 가열온도는 25 내지 60℃인 것인 잉크젯 에칭 방법
9 9
제 1 항에 있어서,세척하는 단계는 금속층을 포함하는 기재에 10 내지 1000 kHz의 초음파를 1분 내지 10분 동안 인가하여 수행하는 잉크젯 에칭 방법
10 10
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 잉크젯 에칭 방법에 의해 제조되는 전극
11 11
제 10 항에 따른 전극을 게이트 전극으로 포함하는 박막 트랜지스터
12 12
제 11 항에 있어서,박막 트랜지스터는 유기 박막 트랜지스터인 것인 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 건국대학교 산학협력단 청정생산기반전문기술개발사업 [단독][RCMS](3차) 에칭 폐액 90%이상 저감을 위한 금속