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그래핀 플레이크(graphene flake) 분말, 부틸아세테이트(butyl aectate) 및 EDOT(3,4-ethylenedioxythiophene)을 포함하고,상기 그래핀 플레이크 분말이 조성물 총 wt %에 대하여 15 wt % 내지 35 wt% 포함되는 것을 특징으로 하는 소형 마이크로슈퍼커패시터 제조용 전극 조성물
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그래핀 플레이크 및 PEDOT(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene))을 포함하는 전극; 및상기 전극 상에 형성된 고체전해질을 포함하고,상기 고체전해질은 H2SO4, LiCLO4, 및 H3PO4로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나와 PVA가 혼합된 조성을 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 마이크로슈퍼커패시터
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마이크로슈퍼커패시터 제조용 전극 조성물을 준비하는 단계;상기 전극 조성물을 플렉서블 기판 상에 펜 리소그라피 (Pen-lithography) 방식으로 직접 패터닝하는 단계;상기 전극 조성물을 중합하여 전극을 형성하는 단계; 및상기 전극 상에 고체전해질을 형성하는 단계를 포함하는 소형 마이크로슈퍼커패시터의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 전극 조성물을 준비하는 단계는, 그래핀 플레이크(graphene flake) 분말, 부틸아세테이트(butyl aectate) 및 EDOT(3,4-ethylenedioxythiophene)을 혼합 및 분산하는 단계를 포함하고,상기 그래핀 플레이크 분말이 조성물 총 wt %에 대하여 15 wt % 내지 35 wt% 포함되는 것을 특징으로 하는 소형 마이크로슈퍼커패시터의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 직접 패터닝하는 단계에서는,펜 노즐이 1 mm 이하인 롤-볼 형태의 펜을 이용하는 것을 특징으로 하는 소형 마이크로슈퍼커패시터의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 전극을 형성하는 단계에서는,상기 전극 조성물의 EDOT이 PEDOT으로 중합되고, 층상자기조립방법(Layer-by-layer assembly)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 소형 마이크로슈퍼커패시터의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 고체전해질을 형성하는 단계에서는,H2SO4, LiCLO4, 및 H3PO4로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나와 PVA가 혼합된 조성을 상기 전극 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 소형 마이크로슈퍼커패시터의 제조 방법
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