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CIGS 박막형 광흡수층의 제조방법, 이를 이용한 박막 태양 전지 제조방법 및 이에 의해 제조된 박막 태양 전지

  • 기술번호 : KST2020009594
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CIGS 태양전지의 광흡수층을 제조하는 방법으로서, 단일 공정법을 이용하여 Cu, In, Ga 및 Se을 동시에 증발시켜 박막층을 기판에 증착시키는 단계를 n번(여기서 n은 2 이상의 자연수) 반복하여 n개의 층으로 구성된 박막층이 형성된 CIGS 광흡수층의 제조 방법, 이에 의해 제조된 CIGS 박막형 광흡수층을 이용한 박막 태양 전지 제조방법 및 이에 의해 제조된 박막 태양 전지에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 상기 제조 방법을 통해 CIGS 광흡수층을 제조하는 경우, 단일 공정법을 통해서도 밴드갭 기울기를 갖는 박막층을 제조할 수 있어 공정이 간단하면서도 얇은 두께에서도 밴드갭 기울기를 갖는 박막을 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/032 (2006.01.01) H01L 31/0445 (2014.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01)
출원번호/일자 1020180171986 (2018.12.28)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0081939 (2020.07.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.12.28)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박주형 대전광역시 유성구
2 윤재호 대전광역시 서구
3 곽지혜 대전광역시 유성구
4 안세진 대전광역시 유성구
5 조아라 대전광역시 유성구
6 유진수 대전광역시 중구
7 조준식 대전광역시 유성구
8 안승규 대전광역시 서구
9 어영주 대전광역시 유성구
10 김기환 대전광역시 유성구
11 신동협 대전광역시 유성구
12 정인영 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 천지 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 신한빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-1316244-59
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-1318452-96
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0050185-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2020.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-0193278-28
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0292735-84
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.05.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0470905-23
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2020-0470906-79
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.10.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0683963-47
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2020.11.04 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2020-1175687-01
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2020-1175686-55
16 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2020.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0843255-49
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0843256-95
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번호 청구항
1 1
CIGS 태양전지의 광흡수층을 제조하는 방법으로서,a) Cu, In, Ga 및 Se을 동시에 증발시켜 제1 CIGS 박막층을 기판에 증착시키는 단계;b) Cu, In, Ga 및 Se을 동시에 증발시켜 상기 단계 a)에서 제1 CIGS 박막층을 증착시킨 기판에 제2 CIGS 박막층을 증착시키는 단계; 및c) Cu, In, Ga 및 Se을 동시에 증발시켜 상기 단계 b)에서 제2 CIGS 박막층을 증착시킨 기판에 제3 CIGS 박막층을 증착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 단계 a) 내지 단계 c)의 박막을 증착시키는 단계는 단일 공정법(single-stage process)을 이용하는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 CIGS 박막층을 기판에 증착시키는 단계 a)는 Ga/(Ga+In)의 비율(GGI)이 0
4 4
제1항에 있어서,제3 CIGS 박막층의 밴드갭은 제2 CIGS 박막층의 밴드갭보다는 크고 제1 CIGS 박막층의 밴드갭보다는 작거나 같은 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 단계 a)는 제1 CIGS 박막층이 1
6 6
CIGS 태양전지의 광흡수층을 제조하는 방법으로서,단일 공정법(single stage process)을 이용하여 Cu, In, Ga 및 Se을 동시에 증발시켜 박막층을 기판에 증착시키는 단계를 n번(여기서 n은 2 이상의 자연수) 반복하여 n개의 층으로 구성된 박막층을 형성하는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 박막층을 기판에 증착시키는 단계는 2 내지 30번 반복하는 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층의 제조 방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 n이 2일 때, n개의 층으로 구성된 박막층 중에서 두 번째의 박막층은 첫 번째 박막층의 밴드갭보다 작은 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층의 제조 방법
9 9
제6항에 있어서,상기 n이 3일 때, n개의 층으로 구성된 박막층 중에서 두 번째의 박막층은 첫 번째 박막층 및 세 번째 박막층의 밴드갭보다 작은 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층의 제조 방법
10 10
제6항에 있어서,상기 n이 4 이상일 때, n개의 박막층 중에서, 2번째 층부터 a번째층(a는 1과 n사이의 자연수)의 밴드갭은 당해 층 이전 층의 밴드갭보다 작고, a+1번째 층부터 n 번째층의 밴드갭은 당해 층 이전층의 밴드갭보다 큰 것을 특징으로 하는 CIGS 광흡수층의 제조 방법
11 11
제1항 또는 제6항의 제조 방법에 따라 제조된 CIGS 태양전지의 광흡수층
12 12
제11항의 광흡수층을 포함하는 CIGS 박막 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국에너지기술연구원 주요사업(구, 기본사업) 도시형 프로슈머타입 저가 고효율 차세대 태양전지 기술개발
2 미래창조과학부 한국에너지기술연구원 주요사업(구, 기본사업) 세대 융합형 화합물/실리콘 다중접합 태양전지 기술
3 산업통상자원부 (주)아이작리서치 KETEP 신재생에너지기술개발사업 무카드뮴 CIGS 태양광 모듈을 위한 ALD/CVD 장비 및 고효율화 공정 개발
4 산업통상자원부 (주)뉴파워프라즈마 전략적 핵심소재 기술개발사업 셀효율 15%이상의 실리콘 코팅 carbon fiber 전자소재 개발