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복수의 평관형 공전해 셀; 및 다공성 매질;을 포함하고, 상기 다공성 매질은 인접한 평관형 공전해 셀 사이에 위치하고,상기 평관형 공전해 셀은 NIO 및 YSZ를 포함하는 평관형 지지체, 상기 평관형 지지체 표면에 형성된 (Sr1-xLax)(Ti1-yMy)O3 (M = V, Nb, Co, Mn)를 포함하는 캐소드 층, 상기 캐소드 층 표면에 형성된 고체전해질 층 및 상기 고체전해질 층 표면에 형성된 애노드 층을 포함하는 평관형 공전해 스택
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제 1항에 있어서,상기 평관형 지지체는 복수의 중공 유로를 포함하는 판형인 것을 특징으로 하는 평관형 공전해 스택
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제 2항에 있어서, 상기 평관형 지지체에 있어서,상기 복수의 중공 유로는 실린더 형태이고, 소정의 방향으로 정렬된 것을 특징으로 하는 평관형 공전해 스택
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제 3항에 있어서, 상기 평관형 지지체에 있어서,상기 복수의 중공 유로의 실린더의 원형 단면의 직경이 0
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제 1항에 있어서, 상기 다공성 매질은 Ni-YSZ 복합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 평관형 공전해 스택
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제 1항에 있어서, 상기 고체전해질 층은 YSZ(이트리아 안정화 지르코니아), LSGM(Sr 및 Mg이 도핑된 란타늄 갈레이트), ScSZ(스칸디아 안정화 산화 지르코늄), GDC(가돌리니아 도핑 세리아) 및 SDC(사마리아 도핑 세리아)로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 평관형 공전해 스택
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제 1항에 있어서,상기 애노드 층은 LSCF-GDC 또는 YSZ-LSM과 LSM 복합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 평관형 공전해 스택
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제 1항에 있어서,상기 캐소드 층에 사용되는 연료는 H2O, CO2 및 H2를 포함하는 것을 특징으로 하는 평관형 공전해 스택
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NIO, YSZ 및 기공형성제를 혼합한 후, 용매와 혼합하여 슬러리 형태로 제조하여 볼밀링 하는 단계(단계 1);상기 슬러리를 건조한 후 분말화 하는 단계(단계 2);상기 분말화 된 혼합물에 첨가제를 첨가하고 혼련하여 페이스트를 제조하고, 상기 페이스트를 평관형 몰드에 투입한 후 압출성형하여 공전해 셀용 지지체를 제조하는 단계(단계 3);상기 압출된 공전해 셀용 지지체를 롤링 건조하는 단계(단계 4);상기 롤링 건조된 공전해 셀용 지지체를 가소결한 후, 캐소드, 전해질 및 애노드를 코팅하여 평관형 공전해 셀을 제조하는 단계(단계 5); 및상기 평관형 공전해 셀 상에 다공성 매질과 상기 평관형 공전해 셀을 번갈아 적층하는 단계(단계 6);를 포함하며,상기 캐소드는 (Sr1-xLax)(Ti1-yMy)O3 (M = V, Nb, Co, Mn)를 포함하는 평관형 공전해 스택의 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 기공형성제는 활성탄 및 카본블랙으로 구성된 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 평관형 공전해 스택의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 첨가제는 바인더, 가소제 및 윤활제를 포함하는 것을 특징으로 하는 평관형 공전해 스택의 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 가소결은 300℃ 내지 400℃로 승온하고, 700℃ 내지 800℃로 승온한 후, 1000℃ 내지 1200℃로 승온하는 단계적 승온에 의해 이루어지는 평관형 공전해 스택의 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 캐소드 및 상기 애노드는 담금코팅법(dip coating) 또는 스크린 프린팅법에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는 평관형 공전해 스택의 제조방법
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제 13항에 있어서,상기 캐소드를 코팅한 후 800℃ 내지 1200℃에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 평관형 공전해 스택의 제조방법
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제 13항에 있어서,상기 애노드를 코팅한 후 900℃ 내지 1400℃에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 평관형 공전해 스택의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 전해질은 진공슬러리코팅법(vacuum slurry coating)에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는 평관형 공전해 스택의 제조방법
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제 16항에 있어서,상기 전해질을 코팅한 후 1200℃ 내지 1600℃에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 평관형 공전해 스택의 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 캐소드에 사용되는 연료는 H2O, CO2 및 H2를 포함하는 것을 특징으로 하는 평관형 공전해 스택의 제조방법
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청구항 제 9항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 의해 제조된 평관형 공전해 스택
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청구항 제 19항의 평관형 공전해 스택을 포함하는 평관형 스택 기반 공전해 모듈
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