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마이크로 반도체 발광소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2020009625
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시되는 마이크로 반도체 발광소자 제조방법은, 성장기판 상에 n형 반도체층, 전자와 정공의 재결합에 의해 광을 생성하는 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 발광부를 성장시키는 제1 공정; 상기 발광부를 두께방향으로 식각하여 설정된 제1 크기로 구획된 단위발광부를 형성하는 제2 공정; 상기 단위발광부의 상면에 상기 활성층으로부터 조사되는 광을 반사시키는 반사막을 형성하는 제3 공정; 상기 단위발광부의 상면으로부터 상기 n형 반도체층에 이르는 n-전극을 형성하는 제4 공정; 상기 단위발광부의 상면 및 측면을 감싸는 파괴 보호층을 형성하는 제5 공정; 상기 파괴 보호층의 상면에 형성되며, 상기 n형 반도체층 및 상기 p형 반도체층과 각각 전기적으로 연결되는 본딩전극을 형성하는 제6 공정; 상기 본딩전극이 형성되는 면에 이송기판을 접합시키는 제7 공정; 및 상기 성장기판을 제거하는 제8 공정;을 포함한다.
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/10 (2010.01.01) H01L 33/36 (2010.01.01)
CPC H01L 33/0093(2013.01) H01L 33/0093(2013.01) H01L 33/0093(2013.01) H01L 33/0093(2013.01) H01L 33/0093(2013.01) H01L 33/0093(2013.01)
출원번호/일자 1020180173880 (2018.12.31)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0082872 (2020.07.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.12.31)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상헌 광주광역시 광산구
2 김영우 대한민국 광주광역시 광산구
3 박승현 대한민국 전라남도 목포시 자
4 박종민 충청남도 천안시 서북구
5 김진모 경기도 수원시 권선구
6 김정현 경기도 의정부시 용현로
7 정태훈 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 명장 대한민국 충청북도 청주시 서원구 산남로**번길 **, ***호(산남동, 원홍빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-1323993-92
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.07.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.09.06 수리 (Accepted) 9-1-2019-0042666-73
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0879822-91
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2020.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2020-0118514-17
6 보정요구서
Request for Amendment
2020.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0023756-47
7 [출원서 등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2020.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2020-0145896-65
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2020.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2020-0232633-94
9 보정요구서
Request for Amendment
2020.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0039834-29
10 [출원서 등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2020.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2020-0264384-14
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.06.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0559461-62
12 등록결정서
Decision to grant
2020.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0429786-71
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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성장기판 상에 n형 반도체층, 전자와 정공의 재결합에 의해 광을 생성하는 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 발광부를 성장시키는 제1 공정;상기 발광부를 두께방향으로 식각하여 설정된 제1 크기로 구획된 단위발광부를 형성하는 제2 공정;상기 단위발광부의 상면에 상기 활성층으로부터 조사되는 광을 반사시키는 반사막을 형성하는 제3 공정;상기 단위발광부의 상면으로부터 상기 n형 반도체층에 이르는 n-전극을 형성하는 제4 공정;상기 단위발광부의 상면 및 측면을 감싸는 파괴 보호층을 형성하는 제5 공정;상기 파괴 보호층의 상면에 형성되며, 상기 n형 반도체층 및 상기 p형 반도체층과 각각 전기적으로 연결되는 본딩전극을 형성하는 제6 공정;상기 본딩전극이 형성되는 면에 이송기판을 접합시키는 제7 공정; 및상기 성장기판을 제거하는 제8 공정;을 포함하되,상기 파괴 보호층은, 폴리이미드(PI, polyimide)로 구비되고, 10um의 두께로 형성되며, 200℃의 열로 경화되어 형성되고,상기 설정된 제1 크기는, 상기 단위발광부 상면의 가로 및 세로의 길이가 50um ~ 100um인 것을 특징으로 하고,상기 이송기판은 UV 조사에 의해 분리되는 UV-tape로 구비되는 것을 특징으로 하며,상기 제2 공정은, 마스크를 이용한 식각공정에 의해 이루어지되, 식각이 필요한 부분에 6um 두께의 DNR thick PR(photo resistor) 패턴을 코팅한 한 후, 1
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1 산업통상자원부 엘이디라이텍(주) 자동차산업핵심기술개발(R&D) 마이크로 LED응용 VGA급 스마트 헤드램프 개발(II)